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J-GLOBAL ID：201702258995023167   整理番号：17A0402794

水素プラズマ処理後のAlGaN/GaNヘテロ構造の安定性【Powered by NICT】

Stability of AlGaN/GaN heterostructures after hydrogen plasma treatment

著者 (7件)： Babchenko O. (Institute of Electrical Engineering SAV, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Dzuba J. (Institute of Electrical Engineering SAV, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Lalinsky T. (Institute of Electrical Engineering SAV, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Vojs M. (Institute of Electronics and Photonics STU, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Vincze A. (International Laser Centre, Ilkovicova 3, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Izak T. (Institute of Physics AS CR, v.v.i., Cukrovarnicka 10, 162 53 Prague, Czech Republic) ,  Vanko G. (Institute of Electrical Engineering SAV, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 92-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ構造上に低温(300°C)水素プラズマ処理の影響の研究について報告する。この問題は,GaN系デバイスを用いたダイヤモンドのハイブリッド集積に関連したプロセスに関する研究の枠内で上昇した。同時に,薄いSiN_x被覆の能力を調べた。試料は低温度での線形プラズマ系における点火低圧水素プラズマに曝露した。AlGaN/GaN界面までの微細構造の変化を二次イオン質量分光法を用いて調べた一方走査型電子顕微鏡による試料の表面形態を解析した。円形伝送線測定を用いてモニターし,シート抵抗は60分処理後に3.5倍以上に増加した。H_2プラズマ処理後,作製した円形高電子移動度トランジスタの基本的輸送特性を分析した。シート抵抗の増加は有効移動度の減少に起因した。が,観測したSchottky障壁の低下はゲート接触保護の必要性を指摘した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  シート抵抗 ,  界面 ,  低温 ,  移動度 ,  走査電子顕微鏡 ,  *プラズマ処理 ,  *窒化ガリウム ,  Schottky障壁 ,  *プラズマ ,  HEMT
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN ,  *水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaNヘテロ構造 ,  水素プラズマ ,  SIMS ,  TLM ,  H EMT

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素プラズマ ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  安定性