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J-GLOBAL ID:201702259010312377   整理番号:17A0473425

光触媒反応のための酸素ドープ窒化炭素中空ミクロスフェアの容易な合成【Powered by NICT】

Facile synthesis of oxygen doped carbon nitride hollow microsphere for photocatalysis
著者 (7件):
資料名:
巻: 206  ページ: 417-425  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光触媒応用のための幅広い光吸収と効率的な電荷分離のために欠陥のある共役複素環ネットワークの黒鉛状窒化炭素(g C_3N_4)材料のための緊急課題である。ここでは,低温で制御可能なOドープg C_3N_4触媒を合成するためのficile「ワンポット」ソルボサーマル法を報告した。このテンプレートフリーアプローチにより,中空ミクロスフェアOドープg C_3N_4生成物が得られた。構造特性化は調製したままの試料は不完全ヘプタジン複素環構造を持ち,格子中Oドーピング,活性化O_2分子から誘導された可能性があると思われることを明らかにした。拡張凝縮時間で,増加したヘテロ元素ドーピング量と狭いバンドギャップは,光吸収と電荷分離効率を促進した。高温焼成で調製した純粋なg C_3N_4と比較して,この新規材料はH_2進化に対する環境汚染物質精製と水の電気分解のための著しく光触媒活性を示し,伝導レベルは減少していた。g C_3N_4系材料の構造と電子的性質を穏やかなソルボサーマル経路,設計のための参照方法である,容易な制御であり,特異な特徴を有する高効率非金属光触媒を作製できることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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光化学反応 

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