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J-GLOBAL ID：201702259039796346   整理番号：17A0755630

Boltzmannの輸送方程式に基づくゲルマニウムと珪素ナノワイヤ中の高電界正孔輸送の解析【Powered by NICT】

Analysis of High-Field Hole Transport in Germanium and Silicon Nanowires Based on Boltzmann’s Transport Equation

著者 (3件)： Tanaka Hajime (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 1  ページ： 118-125  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゲルマニウムナノワイヤにおける高電場正孔輸送を,原子論的なフレームワークにおけるBoltzmann輸送方程式を用いて調べた。考慮する散乱機構はフォノンと表面粗さである。[110],[111],および[112]配向ゲルマニウムナノワイヤの正孔ドリフト速度は負性微分特性を示したが,[001]ナノワイヤのそれはしなかった。正孔ドリフト速度の挙動は高度に非放物線型および配向依存価電子バンド構造に基づいて解析した。シリコンナノワイヤ中の高電場正孔輸送特性も計算し,ゲルマニウムとシリコンナノワイヤの間の違いを検討し,運動量とエネルギー緩和時間に主に焦点を当てた。[110],[111],および[112]シリコンナノワイヤは同じ方位を持つゲルマニウムナノワイヤよりも高磁場でより高速の正孔ドリフト速度を示した。これはシリコンナノワイヤにおける高速エネルギー緩和,ゲルマニウムナノワイヤに比べてシリコンナノワイヤにおける負の微分移動度を緩和するに起因していた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  強磁場 ,  *正孔 ,  高速度 ,  ドリフト速度 ,  *ゲルマニウム ,  運動量 ,  移動度 ,  微分 ,  フォノン
準シソーラス用語： エネルギー緩和 ,  *正孔輸送 ,  *高電場 ,  *シリコンナノワイヤ ,  *輸送方程式 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 輸送方程式 ,  ゲルマニウム ,  珪素ナノワイヤ ,  高電界 ,  正孔輸送 ,  解析