文献

J-GLOBAL ID：201702259083957008   整理番号：17A0795068

IGZOに基づくシナプストランジスタにおける模倣長期抑圧【Powered by NICT】

Long-Term Depression Mimicked in an IGZO-Based Synaptic Transistor

著者 (5件)： Wang Jiabin (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Yuxing (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Yin Changqing (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Yang Yi (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Ren Tian-Ling (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 191-194  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ハフニウム(HfO_x)絶縁層を有する非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物系シナプストランジスタを作製しシナプス長期抑圧(LTD)特性を模倣した。製造温度は120°以下であった。シナプス前スパイク依存シナプス抑制の区間時間は最初にこれらIGZOベースシナプストランジスタ,時間による計算システム符号化のための重要なで実証した。シナプストランジスタにおける抑制効果を消去でき,HfO_x層の欠陥にトラップされた電子を消去に紫外光(λ=365 nm)を用いた。LTDは脳における学習および記憶機能の一因として実証されているので,筆者らのデバイスは,将来の脳型人工神経形態学的計算システムにとって非常に重要である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *シナプス ,  紫外線 ,  非晶質 ,  計算機システム ,  酸化亜鉛 ,  符号化 ,  酸化ハフニウム
準シソーラス用語： 神経形態学 ,  抑制効果 ,  シナプス抑制 ,  絶縁層 ,  *シナプス長期抑圧 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： IGZO ,  シナプス ,  トランジスタ ,  模倣 ,  長期抑圧