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J-GLOBAL ID：201702259461570781   整理番号：17A0407810

SiO_x含有ダイヤモンド状炭素被覆堆積中の基板バイアスの影響【Powered by NICT】

SiO_x containing diamond like carbon coatings: Effect of substrate bias during deposition

著者 (10件)： Barve S.A. (Laser and Plasma Technology Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Chopade S.S. (Laser and Plasma Technology Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Kar R. (Laser and Plasma Technology Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Chand N. (Laser and Plasma Technology Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Deo M.N. (Applied Spectroscopy Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Biswas A. (Applied Spectroscopy Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Patel N.N. (High Pressure and Synchrotron Radiation Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Rao G.M. (Department of Instrumentation and Applied Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560 012, India) ,  Patil D.S. (Department of Metallurgical Engineering and Materials Science, IIT-Bombay, Mumbai, India -400076) ,  Sinha S. (Laser and Plasma Technology Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 71  ページ： 63-72  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_x含有ダイヤモンド状炭素(DLC)膜をアルゴン(Ar),メタン(CH_4)とヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)ガスの容量結合RF生成プラズマを用いたRF自己バイアス( 25~ 225V)の影響下でのシリコンとステンレス鋼基板上に堆積した。堆積したコーティングは荷重深さセンシングナノインデンテーション,分光エリプソメトリー,X線光電子分光法,Fourier変換赤外分光法およびRaman分光法によって特性化した。プラズマも発光プローブでキャラクタライズし,結果は衝突イオンエネルギーは主にこの場合自己バイアス値により制御されていることを示した。堆積した膜の特性化は,.~膜における三つの接着された炭素含有量は基板上にRF自己バイアス値と増加していることを示した。堆積した膜の光学的,機械的性質の明らかな改善はRF自己バイアスの大きさの増加と共に見られた。バイアス値の大きさの増加と共に,C含有量はSiとO含有量の広がりでこれらの膜において連続的に増加し,それらは最終的に 150Vバイアス値を超えて理想的なダイヤモンド状特性への近い得られたことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光 ,  X線光電子分光法 ,  ケイ素 ,  *バイアス ,  Raman分光法 ,  プラズマ ,  ステンレス鋼 ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  *ダイヤモンド ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： イオンエネルギー ,  分光偏光解析法 ,  自己バイアス ,  容量結合 ,  *基板バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ダイヤモンド状炭素 ,  DLC SiO_x ,  RF CVD ,  薄膜

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド状炭素 ,  堆積 ,  基板バイアス