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J-GLOBAL ID：201702259642998834   整理番号：17A0697900

元素前駆体を用いた高密度,大粒径CuIn(S, Se)2薄膜の溶液ベース合成【Powered by NICT】

Solution-based synthesis of dense, large grained CuIn(S, Se)2 thin films using elemental precursor

著者 (9件)： Zhao Zhongdong (Engineering Laboratory of Functional Optoelectronic Crystalline Materials of Hebei Province, School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300132, PR China) ,  Qi Yihan (Engineering Laboratory of Functional Optoelectronic Crystalline Materials of Hebei Province, School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300132, PR China) ,  Chen Qiuying (Engineering Laboratory of Functional Optoelectronic Crystalline Materials of Hebei Province, School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300132, PR China) ,  Zheng Xuerong (School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Hao Qiuyan (Engineering Laboratory of Functional Optoelectronic Crystalline Materials of Hebei Province, School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300132, PR China) ,  Zhang Wen (Engineering Laboratory of Functional Optoelectronic Crystalline Materials of Hebei Province, School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300132, PR China) ,  Mao Jing (School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Liu Caichi (Engineering Laboratory of Functional Optoelectronic Crystalline Materials of Hebei Province, School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300132, PR China) ,  Liu Hui (Engineering Laboratory of Functional Optoelectronic Crystalline Materials of Hebei Province, School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300132, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 8  ページ： 6257-6262  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高価で複雑な真空技術と比較して,I III VI_2カルコゲナイド薄膜(Cu,III=InまたはGa,VI=SまたはSe)を堆積させるために溶液ベースのプロセスは,その低コスト,高拡張可能な生産と良好な応用フレキシブル基板のために大きな関心を集めている。12 エタンジチオールと1,2 エチレンジアミンから成る低毒性と高活性混合溶媒は60°Cで元素Cu,In,S粉末を溶解し,CuInS_2(CIS)前駆体溶液を形成した。Arガスとセレン雰囲気の両方でスピンコーティングとアニーリング後,最密充填粒径~800nmの高密度で大結晶粒黄銅鉱CuIn(S,Se)2(CISSe)薄膜を調製し,望ましくない微細細粒底部層を除去した。添加では,CISSe薄膜のセレン化温度も議論した,これは相組成,CISSe薄膜の結晶性と形態に影響する。CISSeベース薄膜の光起電力素子を作製し,1.5AM照射下で0.5cm~2の活性セル面積で6.2%の電力変換効率を得た。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  アルゴン ,  *インジウム ,  *前駆体 ,  *セレン ,  カルコゲン化物 ,  相組成 ,  スピンコーティング ,  *粒径 ,  粉体 ,  *銅 ,  結晶度 ,  焼なまし ,  *高密度
準シソーラス用語： 電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CuIn(S Se)_2 ,  溶液プロセス ,  薄膜 ,  太陽電池 ,  元素前駆体

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 元素 ,  前駆体 ,  高密度 ,  大粒径 ,  Se ,  薄膜 ,  溶液