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J-GLOBAL ID：201702259665393800   整理番号：17A0826149

InGaN/GaNダイオードの異常な光検出モード下のオンチップ集積化【Powered by NICT】

On-Chip Integration Operating Under the Extraordinary Light Detection Mode of an InGaN/GaN Diode

著者 (6件)： Yang Yongchao (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Gao Xumin (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Yuan Jialei (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Li Yuanhang (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Zhang Zhiyu (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun, China) ,  Wang Yongjin (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 29  号： 5  ページ： 446-449  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らはGaNオンシリコン基板上のオンチップフォトニック集積システムを構築した。シリコン除去とバックウエハエッチング技術を用いて,二懸濁InGaN/GaN多重量子井戸ダイオード(MQWDs),懸濁導波路により接続された,送信機とオンチップフォトニック集積システムでは,それぞれ,受信機として作製した。100μm長,2μm高,および3μm 広範囲懸濁導波路は送信機と受信機の間の光結合と透過のために採用した。送信機は,光を放出すると,InGaN/GaN MQWDが同時に生じ,これには光誘起電子-正孔対が大きく増加する異常光検出機構を示し,注入電流によって相殺された。受信機は同時発光と検出モードで作動する場合オンチップフォトニック集積システムは顕著に改善された3dB帯域幅とデータ転送性能を実験的に実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 集中方式 ,  発光 ,  送信機 ,  *光検出 ,  ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  帯域幅 ,  受信機 ,  多重量子井戸 ,  *ダイオード ,  電流 ,  導波路
準シソーラス用語： 光結合 ,  *オンチップ ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  ダイオード ,  光検出 ,  オンチップ ,  集積化