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J-GLOBAL ID：201702259783208019   整理番号：17A0356466

SB-NA共ドープP型ZNOの第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles Study of p-type ZnO Codoped with Sb-Na

著者 (4件)： Tan Xingyi (School of Science,Hubei Minzu University) ,  Li Qiang (School of Science,Hubei Minzu University) ,  Zhu Yongdan (School of Science,Hubei Minzu University) ,  Zuo Anyou (School of Science,Hubei Minzu University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 12  ページ： 2902-2907  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論を用いて、SB_(ZN)、NA_(ZN)、SB_(ZN)-NNA_(ZN)ドープZNO結晶の安定性、バンド構造及び電子状態密度を計算した。SB_(ZN),NA_(ZN),SB_(ZN)-NNA_(ZN)ドープZNO結晶の構造は安定であり,SB-NA共ドーピングは系の固溶度を改善した。バンド構造は,SB_(ZN)系がN型間接バンドギャップ半導体材料であることを示した。NA_(ZN),SB_(ZN)-2NA_(ZN)系はP型半導体材料である。SB_(ZN)-NA_(ZN),SB_(ZN)-3NA_(ZN)系は固有半導体材料である。P型半導体材料の電気伝導率の研究によると、SB_(ZN)-2NA_(ZN)系の電気伝導率はNA_(ZN)系の導電率より大きく、すなわちSB_(ZN)-2NA_(ZN)のドーピングは体系の導電性を改善した。計算結果は,P型ZNO材料の調製のための理論的指針を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： P型半導体 ,  結晶 ,  固溶度 ,  *ドーピング ,  真性半導体 ,  バンド構造 ,  半導体材料 ,  *第一原理 ,  電気伝導率 ,  密度汎関数法 ,  導電性
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  共ドーピング ,  電子状態密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： p-type ZnO ,  electronic structure ,  conductive property

分類 (3件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  ZnO ,  第一原理 ,  研究