シリコン上のマイクロストリップの損失の研究

SINGH Kamaljeet; NIRMAL A. V.; SHARMA S. V.

文献

J-GLOBAL ID：201702259938620421 整理番号：17A0621349

シリコン上のマイクロストリップの損失の研究

Study the Loss of Microstrip on Silicon

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資料名：
巻： 56 号： 4 ページ： 64,66-68 発行年： 2017年04月
JST資料番号： C0037B ISSN： 0745-2993 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

マイクロストリップ線路の正確な回路設計を目的として,マイクロストリップ線路の伝送損失について解説した。この線路では電磁波の一部が空中を伝わるため,不均質媒質中の準TEMモード伝搬となり,解析的TEM結合線路の準静的近似は適用できず精度には限界がある。信号減衰の大半は導体金属の有限導電率と基板の誘電体損失であり,放射損失もある。CMOSグレードシリコンなどの高損失基板では導体損失よりも誘電体損失と表面波伝搬が支配的になる。FEMは寄生効果をモデリングできるが全ての損失要因を考慮しない。実効複素誘電率の概念を用いて,シリコン基板,TFG基板,不動態化シリコン基板の誘電率周波数特性などを示した。

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伝送線 , プリント回路

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