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J-GLOBAL ID：201702260100738655   整理番号：17A0352481

原子層堆積による4H-SiC上に成長させたAl_2O_3薄膜の構造および組成特性に及ぼすアニーリングの影響【Powered by NICT】

Influences of annealing on structural and compositional properties of Al_2O_3 thin films grown on 4H-SiC by atomic layer deposition

著者 (9件)： Tian Lixin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Feng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Shen Zhanwei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yan Guoguo (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Xingfang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Wanshun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Lei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Sun Guosheng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zeng Yiping (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 128104-1-128104-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ~4H-SiC基板上にAl_2O_3薄膜の構造と組成の性能に及ぼすアニーリング効果を包括的に研究した。Al_2O_3膜は300°Cで前駆体としてトリメチルアルミニウムとH_2Oを用いて原子層堆積により成長させ,1分間周囲N_2の種々の温度でアニールした。アニーリング温度を750°Cから768°Cに増加するとAl_2O_3膜は非晶質相の段階から結晶相に変換した。屈折率はアニーリング温度上昇と共に増加し,これは緻密化はアニーリング中に起こることを示している。アニーリング膜の緻密化と結晶粒形成はX線光電子分光法(XPS)に従って第二最近接配位変化と相対的である結晶化に起因した。Alの2pと零一sの結合エネルギーは,結晶化の際に増加するが,Al2Pと零一S間の分離は,堆積したままとアニールした試料,最近接配位は同様であることを示唆する間で同一である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 緻密化 ,  *アルミニウム ,  結晶粒 ,  結合エネルギー ,  *焼なまし ,  X線光電子分光法 ,  屈折率 ,  *炭化ケイ素 ,  結晶化
準シソーラス用語： 結晶相 ,  アニーリング温度 ,  アニーリング効果 ,  *4H-SiC ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層堆積 ,  アニーリング ,  遷移 ,  4H-SiC

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積 ,  4H-SiC ,  成長 ,  薄膜 ,  組成 ,  アニーリング