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J-GLOBAL ID：201702260165197038   整理番号：17A0661376

高移動度ナフタレンジイミドとセレノフェン-ビニレン-セレノフェンベース共役重合体n-チャネル有機電界効果トランジスタ及び構造-性質関係【Powered by NICT】

High-Mobility Naphthalene Diimide and Selenophene-Vinylene-Selenophene-Based Conjugated Polymer: n-Channel Organic Field-Effect Transistors and Structure-Property Relationship

著者 (16件)： Sung Min Jae (School of Materials Science & Engineering and ERI, Gyeongsang National University, 501 Jinju Daero, Jinju, 660-701, South Korea) ,  Luzio Alessandro (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Via Pascoli 70/3, 20133, Milan, Italy) ,  Park Won-Tae (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 26, Pil-dong, 3-ga, Jung-gu, Seoul, 100-715, South Korea) ,  Kim Ran (Department of Chemistry and RIGET, Gyeongsang National University, 501 Jinju Daero, Jinju, 660-701, South Korea) ,  Gann Eliot (Department of Materials Science and Engineering, Monash University, Wellington Road, Clayton, Victoria, 3800, Australia) ,  Maddalena Francesco (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Via Pascoli 70/3, 20133, Milan, Italy) ,  Pace Giuseppina (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Via Pascoli 70/3, 20133, Milan, Italy) ,  Xu Yong (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 26, Pil-dong, 3-ga, Jung-gu, Seoul, 100-715, South Korea) ,  Natali Dario (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Via Pascoli 70/3, 20133, Milan, Italy) ,  Natali Dario (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Piazza L. da Vinci 32, 20133, Milan, Italy) ,  de Falco Carlo (MOX Modeling and Scientific Computing, Dipartimento di Matematica, Politecnico di Milano, Piazza L. da Vinci 32, 20133, Milan, Italy) ,  Dang Long (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 26, Pil-dong, 3-ga, Jung-gu, Seoul, 100-715, South Korea) ,  McNeill Christopher R. (Department of Materials Science and Engineering, Monash University, Wellington Road, Clayton, Victoria, 3800, Australia) ,  Caironi Mario (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Via Pascoli 70/3, 20133, Milan, Italy) ,  Noh Yong-Young (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 26, Pil-dong, 3-ga, Jung-gu, Seoul, 100-715, South Korea) ,  Kim Yun-Hi (Department of Chemistry and RIGET, Gyeongsang National University, 501 Jinju Daero, Jinju, 660-701, South Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 27  ページ： 4984-4997  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学構造,薄膜形態,輸送特性の相互依存性は,大きな面積を有し,柔軟なエレクトロニクス応用のための高移動度,溶液処理高分子の設計と開発を特徴づける重要な,まだ分からないことがある側面である。環境安定性,特に電子輸送高分子の場合,正孔輸送材料の背後にあるまだ遅れをと組み合わせた低い処理温度で>1cm~2V~ 1s~ 1電界効果移動度(μ)を達成するための特異的必要性がある。,セレノフェンフェニレンビニレンセレノフェンドナー部分によって特性化ナフタレンジイミド系ドナー-アクセプタ共重合体の合成を報告した。最適化された電界効果トランジスタは2.4cm~2V~ 1s~ 1と有望な環境安定性の最大μを示した。非常に顕著な膜構造進化はアニーリング温度の上昇で明らかになった,180°C以上の顕著な3D結晶性の証拠であった。逆に,輸送特性は150°Cで最適化され,より高い温度での限定された利得をもつ実質的であることが分かった。この不一致は,表面偏析した広くエッジオン充填高分子相の存在により説明し,デバイス蓄積チャネルを支配的であった。本研究は,相対的に低い温度で,と半導体高分子薄膜における構造-特性関係の評価における河道形態を調べることの必要性を明確に際の処理可能な有望な,高電子移動度共重合体を呈したの目的を果たしている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  共重合体 ,  ドナー ,  *チャネル ,  高分子薄膜 ,  アクセプタ ,  最適化
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  電界効果移動度 ,  正孔輸送 ,  溶液処理 ,  輸送特性 ,  *有機FET ,  *共役重合体 ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 機能形態学 ,  ナフタレンジイミド ,  n型有機トランジスタ ,  セレノフェンフェニレンビニレンセレノフェン ,  構造-特性関係

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高移動度 ,  セレノフェン ,  ビニレン ,  共役重合体 ,  チャネル ,  有機電界効果トランジスタ ,  性質