文献

J-GLOBAL ID：201702260351507180   整理番号：17A0302145

高圧および高温条件下でのFeNiMnCo S C系における成長させた大型単結晶ダイヤモンド【Powered by NICT】

Large single crystal diamond grown in FeNiMnCo-S-C system under high pressure and high temperature conditions

著者 (7件)： Zhang He (School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University) ,  Li Shangsheng (School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University) ,  Su Taichao (School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University) ,  Hu Meihua (School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University) ,  Li Guanghui (Jilin University) ,  Ma Hongan (Jilin University) ,  Jia Xiaopeng (School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 11  ページ： 118104_01-118104_06  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1255 1393°Cの温度と5.3 5.5GPaの圧力でFeNiMnCo S C系から合成した大きなダイヤモンド。硫黄添加物の存在のために,大きなダイヤモンド結晶の形態と色は明らかに変化する。介在物の含有量と形状は硫黄添加の増加と共に変化した。合成に必要な圧力と温度条件は添加剤の増加,V形領域の左ダウン内に結果的に生じる,ある程度低下することが分かった。Ramanスペクトルは,添加硫黄の導入は大きなダイヤモンド結晶の品質を低下させることを示した。X線光電子分光(XPS)スペクトルによれば,ダイヤモンド中のSの存在を示した。さらに,大きなダイヤモンド結晶の電気的性質を,四点プローブとH all効果法により試験した。ダイヤモンドの細胞中の硫黄が4.0wt.%に達すると,ダイヤモンドの抵抗は9.628×10~5Ωcmであった。大型単結晶試料はn型半導体であることを示した。本研究は,硫黄をドープした半導体大ダイヤモンドのさらなる研究と応用に有用である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スペクトル ,  半導体 ,  Ramanスペクトル ,  電気的性質 ,  *結晶 ,  ドーピング ,  *ダイヤモンド ,  介在物 ,  *高圧 ,  X線光電子分光法 ,  硫黄 ,  *単結晶 ,  温度条件 ,  *高温
準シソーラス用語： *単結晶ダイアモンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 大型ダイヤモンド ,  高圧および高温 ,  硫黄添加剤

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高圧 ,  成長 ,  大型 ,  単結晶ダイヤモンド