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J-GLOBAL ID：201702260424325952   整理番号：17A0696038

高周波マグネトロンスパッタ法による可撓性高分子基板上へのモリブデン薄膜の堆積

Deposition of Molybdenum Thin Films on Flexible Polymer Substrates by Radio Frequency Magnetron Sputtering

著者 (7件)： ZHANG Rui (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  HUO Zhenxuan (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  JIAO Xiangquan (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  YANG Jie (China Acad. Engineering Physics, Mian Yang, CHN) ,  DU Bo (26th Inst. China Electronics Technol. Group Corp., Chongqing, CHN) ,  ZHONG Hui (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  SHI Yu (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 8  ページ： 8154-8159  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノエレクトロメカニカルシステム(NEMS)およびマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)は,近年,IC製造技術およびNEMS/MEMS特有のツールを用いて,電気的および機械的構成要素を結合する有望な方法として注目を集めている。本稿では,高周波電力マグネトロンスパッタリングを用いて,スパッタ電力,スパッタリング圧力および温度を含む堆積条件を変化させて,ポリイミド基板上にMo薄膜を堆積させることが研究された。本稿では,異なるパラメータ,すなわちスパッタリングパワー,スパッタリング圧力および基板温度の下でKaptonポリマー基板上に堆積されたMo薄膜が研究された。本実験によれば,スパッタリング圧力を高めることはMo(110)配向に有益であり,スパッタリング圧力または基板温度を増加させるとMo(110)配向を劣化させた。低い電気抵抗率を有するMo薄膜は,高いスパッタリングパワー,低いスパッタリング圧力および低い基板温度を必要とする。高スパッタリングパワー,低スパッタリング圧力および高基板温度で,コンパクトで多孔質でないMo薄膜が得られた。

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *フレキシブル基板 ,  基板 ,  *モリブデン ,  *金属薄膜 ,  MEMS ,  ポリイミド ,  PMDA-ODA ,  圧力 ,  基板温度 ,  *電気抵抗率 ,  多孔性
準シソーラス用語： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  フレキシブルプリント回路基板 ,  高分子基板 ,  NEMS ,  Kapton

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波マグネトロンスパッタ法 ,  可撓性 ,  高分子基板 ,  モリブデン ,  薄膜 ,  堆積