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J-GLOBAL ID：201702260427866354   整理番号：17A0076751

X線光電子分光法により研究したグラフェン/SrTiO_3ヘテロ界面【Powered by NICT】

Graphene/SrTiO_3 hetero interface studied by X-ray photoelectron spectroscopy

著者 (7件)： Karamat S (Department of Physics, Middle East Technical University) ,  Ke C (Microelectronics Centre, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University) ,  Inkaya U Y (Department of Physics, Middle East Technical University) ,  Akram Rizwan (Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Qassim University) ,  Yildiz Ilker (Department of Physics, Middle East Technical University) ,  Shah Zaman S (COMSATS Institute of Information Technology) ,  Oral A (Department of Physics, Middle East Technical University)
資料名： Progress in Natural Science: Materials International  (Progress in Natural Science: Materials International)
巻： 26  号： 4  ページ： 422-426  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0407A  ISSN： 1002-0071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,グラフェンとチタン酸ストロンチウム(SrTiO_3またはSTO)界面の研究に焦点を当てた。1000°C,4時間でのメタン,アルゴン及び水素ガスの存在下でSTO(110)基板上にグラフェンを成長させるために使用されている大気圧化学蒸着(AP CVD)装置。Raman分光法測定は,グラフェンを参考にして典型的なDとGピークの存在のためにSTO基板上のグラフェンの存在を確認した。これらの特徴的なピークは裸の基板のためのスペクトルでは欠損している。X線光電子分光法(XPS)は試料の元素分析のための行い,STO基板との結合を調べた。GSTO界面での価電子帯オフセット(VBO)と伝導バンドオフセット(CBO)を計算するために価電子帯スペクトルを採用した。また,二層とABC(炭素層のパターン配置)積層グラフェン層のエネルギーバンド図を提示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  価電子バンド ,  Raman分光法 ,  オフセット ,  アルゴン ,  チタン酸ストロンチウム ,  伝導バンド ,  *X線光電子分光法 ,  元素分析 ,  *界面 ,  アルカン
準シソーラス用語： エネルギー帯 ,  二層 ,  APCVD ,  *ヘテロ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 化学蒸着 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  グラフェン ,  価電子帯極大

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (4件)： X線光電子分光法 ,  研究 ,  グラフェン ,  ヘテロ界面