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J-GLOBAL ID：201702260487652392   整理番号：17A0375944

MoS_2(100)表面上のHClによる元素状水銀の吸着と酸化機構の第一原理研究【Powered by NICT】

First principles study of adsorption and oxidation mechanism of elemental mercury by HCl over MoS₂ (100) surface

著者 (6件)： Xu Zhenming (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Lv Xiaojun (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Chen Jiangan (Faculty of Resource and Environmental Engineering, Jiangxi University of Science and Technology, Ganzhou 341000, China) ,  Jiang Liangxing (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Lai Yanqing (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Li Jie (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 308  ページ： 1225-1232  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2(100)表面上のHClによるHg酸化機構を最初に密度汎関数理論と周期的スラブモデルにより研究した。Hg~0はHg原子のs,p状態とMo原子のs,p状態の間の重なりに起因するMoS_2(100)表面のMoトップサイトに強く吸着された。分離したHCl分子のH-Cl結合はMoS_2(100)表面への吸着の後に破壊され,化学解離吸着過程を明らかにした。HgClとHgCl_2は解離Moトップサイトに吸着される,一方,MoS_2(100)表面のSエッジサイト上に吸着した非解離。エネルギー経路解析はMoS_2(100)表面へのHg~0酸化はHg→HgCl→HgCl_2の経路を介してLangmuir-Hinshelwood機構に従うことを示した。全Hg酸化反応では,HgClの形成とHgCl_2の解離は,その高いエネルギー障壁のために,律速段階である。MoS_2表面上への水銀酸化反応のより低いエネルギー障壁は,Hg接触酸化のための魅力的な代替触媒となる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  Langmuir-Hinshelwood機構 ,  触媒 ,  *モリブデン ,  *第一原理 ,  *吸着 ,  解離吸着 ,  律速 ,  *水銀 ,  *酸化 ,  *塩酸 ,  接触酸化
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  エネルギー障壁 ,  *酸化機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論 ,  水銀 ,  二硫化モリブデン ,  吸着 ,  酸化機構

分類 (3件)： 触媒操作  (XE01050T) ,  水銀とその化合物  (SB05023Z) ,  有害ガス処理法  (SC04030H)

タイトルに関連する用語 (7件)： HCl ,  元素 ,  水銀 ,  吸着 ,  酸化 ,  第一原理 ,  研究