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J-GLOBAL ID：201702260574713204   整理番号：17A0883529

バンド収束と格子間欠陥によるp-PbTe熱電のための環境に優しい解決策としてのSnTeの促進【Powered by NICT】

Promoting SnTe as an Eco-Friendly Solution for p-PbTe Thermoelectric via Band Convergence and Interstitial Defects

著者 (8件)： Li Wen (Key Laboratory of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Tongji University, 4800, Caoan Road, Shanghai, 201804, China) ,  Zheng Linglang (Key Laboratory of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Tongji University, 4800, Caoan Road, Shanghai, 201804, China) ,  Ge Binghui (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Science, Beijing, 100190, China) ,  Lin Siqi (Key Laboratory of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Tongji University, 4800, Caoan Road, Shanghai, 201804, China) ,  Zhang Xinyue (Key Laboratory of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Tongji University, 4800, Caoan Road, Shanghai, 201804, China) ,  Chen Zhiwei (Key Laboratory of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Tongji University, 4800, Caoan Road, Shanghai, 201804, China) ,  Chang Yunjie (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Science, Beijing, 100190, China) ,  Pei Yanzhong (Key Laboratory of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Tongji University, 4800, Caoan Road, Shanghai, 201804, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 17  ページ： ROMBUNNO.201605887  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販のp型PbTe熱電材料と比較して,SnTeは二価電子帯の間の非常に大きなバンドオフセットと非常に高い格子熱伝導率,のピーク熱電性能指数,わずか0.4のzTの制限を持っている。その価電子帯の収束または共鳴状態を導入電子特性を向上させることが判明したが,ナノ構造化,さらに最近では,格子間欠陥を導入することは,格子熱伝導率を減少させることが分かった。上記戦略のいくつかの統合を用いても,既存の努力は1.4を超えるピークzTを可能にし,通常CdまたはHgを含まない。本研究では,その各々がピークzT≒150%増加を可能にする,バンド収束と格子間欠陥の組み合わせは,毒性元素を含まない≒300%(zT1.6まで)であることzT増加蓄積することに成功した。これは更なる改善のための新しい可能性を開き,従来のp-PbTe熱電材料のための環境に優しい解決策としてSnTeを促進した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドオフセット ,  ナノ構造 ,  *テルル化鉛 ,  水銀 ,  熱電材料 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 共鳴状態 ,  熱電性能指数 ,  格子熱伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： バンド収束 ,  環境にやさしい ,  格子間欠陥 ,  熱電材料

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (9件)： バンド ,  収束 ,  格子 ,  欠陥 ,  PbTe ,  環境 ,  解決策 ,  SnTe ,  促進