文献

J-GLOBAL ID：201702260628489846   整理番号：17A0118428

グラフェンの変化誘起された電子的性質エポキシ曝露【Powered by NICT】

Epoxy exposure induced electronic properties change of graphene

著者 (6件)： Uddin Md Ahsan (Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA) ,  Bayram Ferhat (Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA) ,  Koley Goutam (Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA) ,  Zhu Yihao (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Singh Amol (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Jahangir Ifat (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エポキシは,グラフェンベースの化学およびバイオセンサのパッケージングのための選択肢の一つである。本研究では,エポキシの効果とグラフェン電界効果トランジスタの電気的特性に及ぼす硬化剤を調べた。36VのDirac点シフトは2時間エポキシ曝露の後に観察されたが,Dirac点を曝露エポキシ硬化剤の15分は130V以上を変化させ,63~ 68V,強いp型吸着した分子の電子供与性質による強いn型からグラフェンのドーピング型を完全に変化させる。グラフェン電子的性質における著しい変化はエポキシ硬化剤中に存在するアミン基の強い電子供与性によるものである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  バイオセンサ ,  吸着 ,  FET【トランジスタ】 ,  アミン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Dirac点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  誘起 ,  電子 ,  性質 ,  曝露