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J-GLOBAL ID：201702260720814416   整理番号：17A0302106

欠陥を有するReS2単分子層における歪に誘起された磁性【Powered by NICT】

Strain-induced magnetism in ReS2 monolayer with defects

著者 (2件)： Zhang Xiaoou (Department of Electrical Engineering and Photoelectric Technology, Zijin College of Nanjing University of Technology) ,  Li Qingfang (Department of Physics, Nanjing University of Information Science & Technology)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 11  ページ： 117103_01-117103_04  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論を用いた硫黄空格子点をもつReS2単分子層の電子的および磁気的性質に及ぼす歪の影響を調べた。monosulfur空孔(Vs)および硫黄空孔(V2S)を用いた無歪ReS2単分子層は非磁性。しかし,歪が8%に増加すると,VsドープReS2単分子層は零全磁気モーメントを持つ磁気半金属挙動を示した。特に,V2SドープReS2単分子層に対して,システムは6%の歪下での磁性半導体,空格子点の近傍でRe原子は互いに反強磁性的に結合し,7%歪で1.60/μ_Bの全磁気モーメントをもつ強磁性金属特性を示し続けているとなっている。著者らの結果は,VsとV2Sによる歪操作ReS2単分子層は,新しいスピントロニクス応用の可能な候補であることを意味している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半金属 ,  密度汎関数法 ,  スピントロニクス ,  ドーピング ,  磁性半導体 ,  硫黄 ,  磁気モーメント ,  *単分子層 ,  反強磁性 ,  磁気的性質 ,  磁気 ,  *磁性
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  強磁性金属 ,  剪断波速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ReS2 ,  第一原理計算 ,  ひずみ ,  欠陥

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 欠陥 ,  ReS2 ,  単分子層 ,  誘起 ,  磁性