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J-GLOBAL ID：201702260741246741   整理番号：17A0749409

高効率と低駆動電圧を有する純ホルムアミジニウムベースペロブスカイト発光ダイオード【Powered by NICT】

Pure Formamidinium-Based Perovskite Light-Emitting Diodes with High Efficiency and Low Driving Voltage
著者 (10件)：
Meng Lei

Meng Lei について

(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA について

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Yao En-Ping

Yao En-Ping について

(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA について

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Yao En-Ping

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(Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, 70101, Taiwan)

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Hong Ziruo

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(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA について

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Chen Huajun

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(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

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Sun Pengyu

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Yang Zhanlue

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(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

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Li Gang

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(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

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Li Gang

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(Department of Electronic and Information Engineering, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, China)

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Yang Yang

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(Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA)

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資料名：
Advanced Materials  (Advanced Materials)

Advanced Materials について


巻： 29  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201603826  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ホルムアミジニウム(FA)をベースにしたペロブスカイトはメチルアンモニウムベース対応物よりも良好な安定性を含む優れたオプトエレクトロニクス特性をshowns。高効率の純粋なFAペロブスカイトベース発光ダイオード(LED)を報告した。興味深いことに,LEDは1.7V(バンドギャップ2.3eV)でのサブバンドギャップ発光を示した。この重要な発見は,ペロブスカイトベースオプトエレクトロニクス素子における電荷輸送機構の更なる洞察を提供した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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オプトエレクトロニクス

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バンドギャップ

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*発光

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*発光ダイオード

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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電荷輸送

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光電子デバイス

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サブバンドギャップ

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著者キーワード (4件)：
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サブバンドギャップ放出

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分類 (2件)：
分類
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(NC03082G)

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タイトルに関連する用語 (3件)：
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