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J-GLOBAL ID：201702260856252884   整理番号：17A0370154

InAs/GaAs量子ドット太陽電池の性能改善のための薄いGaAsSbキャップ層【Powered by NICT】

Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells

著者 (11件)： Utrilla A.D. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Reyes D.F. (Departamento de Ciencia de los Materiales e IM y QI, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Llorens J.M. (IMM-Instituto de Microelectronica de Madrid (CNM-CSIC), Isaac Newton 8, PTM, E-28760 Tres Cantos, Madrid, Spain) ,  Artacho I. (Instituto de Energia Solar, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Ben T. (Departamento de Ciencia de los Materiales e IM y QI, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Gonzalez D. (Departamento de Ciencia de los Materiales e IM y QI, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Gacevic Z. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Kurtz A. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Guzman A. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Hierro A. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain) ,  Ulloa J.M. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, Spain)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 282-289  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InAs/GaAs量子ドット(QD)太陽電池上の薄いGaAsSbキャッピング層(CL)を使用する利点について報告した。このようなCLの応用は,QD基底状態の同調性を可能にし,高Sb含有量のI型からQD CLバンド配列をスイッチングII型1.5μm以上の光応答を拡張する。CL(第1種と第2種バンド配列)の~10%と~20%Sb含有量を有する二種類の構造を調べ,20%および10%の参照InAs/GaAs QD太陽電池を超える効率改善に導いた。一般に,短絡電流密度(J_sc)の有意な増加が観察され,部分的に拡張された光電流スペクトルとCL自体の付加的な寄与によるものである。特に,中程度のSb含有量のための,改善されたキャリア収集効率もJ_sc増加の主な理由であることが分かった。8×8kp法による計算は,II型バンドアラインメントへの移行による濡れ層CL構造ではより長いキャリア寿命へのこのような改善の属性を示唆した。参照QD太陽電池を超える開回路電圧(V_oc)はGaAsSb CLを用いた集光,V_ocは低バンドギャップCLによって制限されないことを証明し,実証した。さらに,最高値は高Sb含有量II型構造に対して得られた,歪および低い有効バンドギャップのより高い蓄積にもかかわらずである。,後者の場合に見られる光パワーでより速いV_oc増加は有効バンドギャップより大きいV_ocをもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 効率化 ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  バンドギャップ ,  *量子ドット ,  キャリア寿命 ,  *アンチモン ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  キャリア収集 ,  光電流スペクトル ,  短絡電流密度 ,  *キャップ層 ,  *ヒ化アンチモン化ガリウム ,  *量子ドット太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 太陽電池 ,  量子ドット ,  GaAsSb ,  キャッピング層 ,  タイプII ,  キャリア収集効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット太陽電池 ,  性能改善 ,  GaAsSb ,  キャップ層