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J-GLOBAL ID：201702260864636356   整理番号：17A0856536

常にに常にセンシング応用のための14nmトライゲートCMOSにおけるしきい値近傍の電圧IA-32マイクロコントローラを特徴とするサブcm~3エネルギーハーベスティング積層無線センサノード【Powered by NICT】

A Sub-cm³ Energy-Harvesting Stacked Wireless Sensor Node Featuring a Near-Threshold Voltage IA-32 Microcontroller in 14-nm Tri-Gate CMOS for Always-ON Always-Sensing Applications

著者 (12件)： Paul Somnath (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Honkote Vinayak (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Kim Ryan Gary (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Majumder Turbo (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Aseron Paolo A. (Silicon Technology Prototyping Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Grossnickle Vaughn (Platform Engineering GroupIntel Corporation) ,  Sankman Robert (Assembly and Test Technology Development, Intel Corporation, Chandler, AZ, USA) ,  Mallik Debendra (Assembly and Test Technology Development, Intel Corporation, Chandler, AZ, USA) ,  Wang Tao (Assembly and Test Technology Development, Intel Corporation, Chandler, AZ, USA) ,  Vangal Sriram (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Tschanz James W. (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  De Vivek (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 52  号： 4  ページ： 961-971  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーハーベスティング無線センサノード(WSN)は17μW/MHz常にON,常にセンシング(AOAS)能力を提供することを14,0.79-mm~2,32ビットIntelアーキテクチャコアベースの近しきい値電圧(NTV)マイクロコントローラ(MCU)を統合した。MCUは四個の独立した電圧-周波数アイランド,集積化電力管理ユニットによる管理を実装し,サブしきい値電圧できるオンチップ発振器と42nmフィンピッチ,8.3pA漏れ当たりビットSRAMを特徴としている。MCUは297MHz(1 V)から0.5MHz(308 mV)までの広い周波数(電圧)範囲で動作し,消費23.5mWから21μW,370mV,3.5MHz,17pJ/cycleの最適供給電圧(V_OPT)で4.8×より良いエネルギー効率を達成した。機能AOAS WSNはNTV MCUは持続μW動作のための有望であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： SRAM ,  *マイクロコントローラ ,  *CMOS ,  発振器 ,  エネルギー効率 ,  周波数 ,  電力管理 ,  *電圧 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  *エネルギーハーベスティング ,  *無線センサーノード
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  オンチップ ,  *トライゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (12件)： センシング ,  応用 ,  トライゲート ,  CMOS ,  しきい値 ,  近傍 ,  IA ,  マイクロコントローラ ,  サブ ,  エネルギーハーベスティング ,  無線センサ ,  ノード