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J-GLOBAL ID：201702260963907107   整理番号：17A0361966

非毒性ジメチルスルホキシド主体のゾル-ゲルから調製したと低真空中で合成したCu_2ZnSnS_4膜の構造的,光学的および電気的性質【Powered by NICT】

Structural, optical and electrical properties of Cu₂ZnSnS₄ films prepared from a non-toxic DMSO-based sol-gel and synthesized in low vacuum

著者 (11件)： Orletskyi I.G. (Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 58012 Chernivtsi, Ukraine) ,  Solovan M.M. (Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 58012 Chernivtsi, Ukraine) ,  Solovan M.M. (Department of Applied Sciency and Technology, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy) ,  Brus V.V. (Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, 12489 Berlin, Germany) ,  Pinna F. (Department of Applied Sciency and Technology, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy) ,  Cicero G. (Department of Applied Sciency and Technology, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy) ,  Maryanchuk P.D. (Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 58012 Chernivtsi, Ukraine) ,  Maistruk E.V. (Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 58012 Chernivtsi, Ukraine) ,  Ilashchuk M.I. (Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 58012 Chernivtsi, Ukraine) ,  Boichuk T.I. (Department of Electronics and Energy Engeneering, Chernivtsi National University, 58012 Chernivtsi, Ukraine) ,  Tresso E. (Department of Applied Sciency and Technology, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 100  ページ： 154-160  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnS_4(CZTS)膜の構造,光学及び電気特性の複雑な分析,低コストと環境に優しい溶媒ジメチルスルホキシド(DMSO)に基づくゾル-ゲルのスピンコーティングにより調製し,低真空(0.1Pa)の合成を報告した。CZTS膜の合成に及ぼす低真空(0.1Pa)下で空気と最終焼なましにおける短期低温処理の影響を試験し,解析した。XRDとRamanスペクトルはほぼ純粋な黄錫亜鉛鉱相含有量をもつ得られたCZTS膜の多結晶性を示した。膜中の微結晶D 60nmの平均サイズを推定した。バンドギャップE≒1.53eVの値は光学特性の解析から決定した。電気特性の解析から,電気的に活性な粒界を有する多結晶材料における電流輸送のモデルの範囲で行った。比抵抗ρ≒2.38Ωcm,正孔密度p_≒4.2×10~18cm~ 3と有効移動度μ_≒0.63cm~2/(Vs)の測定値は,調査したCZTS膜は高効率太陽電池の製作のための有望なことを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スズ ,  太陽電池 ,  バンドギャップ ,  電気抵抗率 ,  スピンコーティング ,  X線回折 ,  *多結晶 ,  結晶粒界 ,  Ramanスペクトル ,  移動度 ,  微結晶 ,  焼なまし
準シソーラス用語： 高効率 ,  低温処理 ,  CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CZTS ,  薄膜 ,  XRD ,  Raman ,  電流輸送

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非毒性 ,  ジメチルスルホキシド ,  ゾル-ゲル ,  調製 ,  真空 ,  光学 ,  電気的性質