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J-GLOBAL ID：201702261000013910   整理番号：17A0323170

Si(111)上の垂直GaAsナノワイヤの自己触媒分子ビームエピタクシー成長とそれらの光電子特性【Powered by NICT】

Self-catalyzed molecular beam epitaxy growth and their optoelectronic properties of vertical GaAs nanowires on Si(111)

著者 (19件)： Zhang Lichun (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang Lichun (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Geng Xuewen (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zha Guowei (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zha Guowei (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Xu Jianxing (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Xu Jianxing (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Wei Sihang (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wei Sihang (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Ma Ben (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Ma Ben (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Chen Zesheng (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Chen Zesheng (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Shang Xiangjun (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Shang Xiangjun (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Ni Haiqiao (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Ni Haiqiao (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Niu Zhichuan (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Niu Zhichuan (Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 52  ページ： 68-74  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化GaAsナノワイヤは異なるAs_4/Gaフラックス比(V/III比)の下で前処理Si(111)基板上に分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させた。垂直ワイヤの割合はAs_4/Ga比は90に到達したときほぼ100%であることが分かった。透過型電子顕微鏡(TEM)および光ルミネセンス(PL)スペクトルの結果は,より大きなV/III比(90)で成長させたGaAsナノワイヤは純粋なZB構造を持つことを示した。単一ナノワイヤに基づく電界効果トランジスタ(FET)は,より大きなV/III比(90)で成長させたGaAsナノワイヤを作製した。FETの特性は,正孔濃度3.919×10~17cm~ 3および0.417cm~2V~ 1s~ 1の正孔移動度を明らかにした。金属-semiconductor-金属(MSM)電極配置を持つ単一ナノワイヤと多重ナノワイヤ構造に基づく光検出器を提案し,実証した。室温で動作する全光検出器は良好な光伝導性能,優れた安定性,再現性及び優れたピーク応答(単一ナノワイヤ光検出器のための5Vで87.67)を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光電子 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ナノワイヤ ,  自己組織化 ,  光検出器 ,  光ルミネセンス ,  *MBE成長 ,  前処理 ,  光伝導 ,  *金属線 ,  *ヒ化ガリウム ,  再現性 ,  正孔移動度 ,  正孔濃度 ,  *自己触媒

著者キーワード (4件)： GaAsナノワイヤ ,  光検出器 ,  分子ビームエピタクシー ,  ピーク応答

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  垂直 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  自己触媒 ,  分子ビームエピタクシー成長 ,  光電子