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J-GLOBAL ID：201702261259114224   整理番号：17A0348522

SRL構造に基づく抗放射SRAMセル設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a Radiation Hardened SRAM Cell Based on SRL Structure

著者 (3件)： Wu Shuxiao (Research Institute of Electronic Science and Technology,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Li Lei (Research Institute of Electronic Science and Technology,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Ren Lei (Research Institute of Electronic Science and Technology,University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Weidianzixue  (Weidianzixue)
巻： 46  号： 6  ページ： 796-800  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2386A  ISSN： 1004-3365  CODEN： WEIDFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 空間放射環境において,単一粒子反転(SEU)効果はSRAMの信頼性に深刻な影響を及ぼし,航空宇宙機器の正常運転に大きな脅威を与える。自己回復論理(SRL)構造に基づく新しい抗放射SRAMセルを提案し,このセルのメモリ構造は3つのMULLER Cユニットと2つのインバータから構成されており,リーダを用いて設計されている。単一粒子効果のシミュレーション結果は,このセルが静的記憶状態においてSEU効果に対して免疫能力を持つだけでなく,読み書き効果においても免疫効果を持つことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶構造 ,  信頼性 ,  シミュレーション ,  *SRAM
準シソーラス用語： 自己修復 ,  航空宇宙 ,  *セル設計 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SRAM ,  Radiation hardened ,  SRL ,  SEU ,  Muller C element

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 放射 ,  SRAM ,  セル設計