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J-GLOBAL ID：201702261613763987   整理番号：17A0369685

アニーリング温度によるA LD derived HfAlO/Al_2O_3/Siゲートスタックの界面と電気的性質の調節【Powered by NICT】

Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al₂O₃/Si gate stack by annealing temperature

著者 (10件)： Gao J. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Gao J. (School of Sciences, Anhui University of Science and Technology, Huainan 232001, China) ,  He G. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Liu M. (Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Lv J.G. (Department of Physics and Electronic Engineering, Hefei Normal University, Hefei 230061, China) ,  Sun Z.Q. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Zheng C.Y. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Jin P. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Xiao D.Q. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Chen X.S. (National Laboratory for Infrared Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Institute of Technical Physics, 500 Yutian Road, Shanghai 200083, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 691  ページ： 504-513  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Si基板上に原子層堆積派生HfAlO/Al_2O_3ゲートスタックの界面化学結合状態,バンドアライメント,及び電気的特性に及ぼす急速熱アニーリングの効果をX線光電子分光法(XPS),UV-可視透過分光法,および電気的測定により研究した。XPS分析は,HfAlO合金と混合ケイ酸塩(Hf Al O Si)は堆積後アニーリングプロセス後に増加することを示した。UV-Vis透過分光法測定により,400~°Cアニールした試料のバンドギャップの減少が観察された。,伝導帯オフセットの価電子帯オフセットの増加と減少は400°CでアニールしたHfAlO/Al_2O_3/Siゲートスタックのための検出した。,Poole-Frenkel放出,Fowler-Nordheim(FN)トンネリング,空間電荷制限(SCL)伝導のような種々の電流伝導機構を解析した。詳細な電気測定は,現在の実施機構は低磁場領域とFNトンネリングでSCL伝導であり,SCL伝導は高磁場領域で支配的な伝導機構であることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  空間電荷 ,  ケイ酸塩 ,  オフセット ,  焼なまし ,  RTA【熱処理】 ,  価電子バンド ,  バンドギャップ ,  X線光電子分光法 ,  *界面 ,  トンネル効果 ,  伝導機構 ,  バンドアライメント ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 高k誘電体 ,  界面熱安定性 ,  原子層堆積 ,  バンドアラインメント ,  電気的性質 ,  漏れ電流機構

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： アニーリング温度 ,  LD ,  Si ,  ゲートスタック ,  界面 ,  電気的性質 ,  調節