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J-GLOBAL ID：201702261667745682   整理番号：17A0132804

窒素ドープアモルファスCoFeNフリー層電極を用いたCoFeN/AlO_x/CoFeN磁気トンネル接合における巨大磁気抵抗の観測

Observation of giant magnetoresistance in CoFeN/AlO_x/CoFeN magnetic tunneling junctions employing a nitrogen-doped amorphous CoFeN free layer electrode

著者 (2件)： Yoon Kap Soo (New Functional Material and Device Center, Department of Physics, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea) ,  Hong Jin Pyo (New Functional Material and Device Center, Department of Physics, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 1  ページ： 012402-012402-4  発行年： 2017年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化物 ,  鉄化合物 ,  コバルト化合物 ,  酸化アルミニウム ,  *トンネル接合 ,  *磁気抵抗 ,  *非晶質合金 ,  X線回折 ,  磁化率 ,  保磁力 ,  窒化鉄 ,  *磁気トンネル接合
準シソーラス用語： 巨大磁気抵抗

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドープ ,  アモルファス ,  磁気トンネル接合 ,  巨大磁気抵抗 ,  観測