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J-GLOBAL ID：201702261690265059   整理番号：17A0144586

金属めっきヒートシンクを用いた高速誘電体平坦化した850nm面発光レーザ【Powered by NICT】

High-speed dielectric-planarized 850nm surface-emitting lasers with metal-plated heat sinks

著者 (5件)： Al-Omari A. N. (Electronic Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Technology, Yarmouk University, Irbid, 21163 Jordan) ,  Khreis O. M. (Electronic Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Technology, Yarmouk University, Irbid, 21163 Jordan) ,  Dagamseh A. M. K. (Electronic Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Technology, Yarmouk University, Irbid, 21163 Jordan) ,  Ababneh A. (Electronic Engineering Department, Hijjawi Faculty for Engineering Technology, Yarmouk University, Irbid, 21163 Jordan) ,  Lear K. L. (Electrical and Computer Engineering Department, Colorado State University, Fort Collins, CO, 80526, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICEDSA  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅めっきヒートシンクをもつ850nmの垂直共振器レーザダイオードを作製し,試験した。電気めっき銅の10μm開口直径と4μmの垂直共振器型面発光レーザは,16GHz以上の最大 3dB変調帯域幅とバイアス電流5.4mAで11GHz以上の共鳴周波数,バイアス電流密度のみ7.5kA/cm~2に対応することを示した。このように,報告されているデバイスは,バイアス電流密度比35GHz~2/kA/cm~2以上の二乗高さ 3dB変調帯域幅を示した。displaid7.5kA/cm~2バイアス電流密度は25%信頼性のための10kA/cm~2電流密度標準以下であった。素子も1.01°C/mWの低下した熱抵抗,1.1mAのしきい値電流,約60Ωの直列抵抗,および最大出力密度約1.2mW/cm~2を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振周波数 ,  *ヒートシンク ,  熱抵抗 ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  *面発光レーザ ,  バイアス ,  電気めっき ,  銅めっき ,  電流密度 ,  銅 ,  *めっき ,  開口
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  バイアス電流 ,  変調帯域幅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属めっき ,  ヒートシンク ,  誘電体 ,  平坦化 ,  面発光レーザ