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J-GLOBAL ID:201702261745009490   整理番号:17A0214149

505GHz/720GHzのfx/fmaxによるSiGeH BT【Powered by NICT】

SiGe HBT with fx/fmax of 505 GHz/720 GHz
著者 (24件):
資料名:
巻: 2016  号: IEDM  ページ: 3.1.1-3.1.4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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fT/fmax/BVCEO=505GHz/720GHz/1 1.6Vを特徴とする実験的SiGeH BT技術と1.34psの最小CMLリング発振器ゲート遅延を示した。以前のSiGeH BT開発に比較して改善された速度は,最適化された垂直プロファイル,低温バックエンドとミリ秒アニーリングを組み合わせることにより可能にしたベースとエミッタ抵抗の追加的減少から,横方向の素子スケーリングから主に生じる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (1件):
タイトルに関連する用語
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