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J-GLOBAL ID：201702261988724481   整理番号：17A0738489

活性金属/Pt-Fe₂O₃コア-シェルを埋め込まれたZnO/Pt抵抗スイッチングメモリデバイスにおける金属フィラメント形成に対するPt-Fe₂O₃コアシェルナノ粒子の影響

Influence of Pt-Fe₂O₃ Core-Shell Nanoparticles on the Metal Filament Formation in Active Metal/Pt-Fe₂O₃ Core-Shell-Embedded ZnO/Pt Resistive Switching Memory Device

著者 (6件)： KANG Soo Yun (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  YOO Eun Ji (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  NOH Young Jun (Myongji Univ., Gyeonggi, KOR) ,  YOON Tae-Sik (Myongji Univ., Gyeonggi, KOR) ,  KANG Chi Jung (Myongji Univ., Gyeonggi, KOR) ,  CHOI Young Jin (Sejong Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 10  ページ： 10294-10298  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属フィラメント形成のための人工ピニング部位として自己組織化Pt-Fe₂O₃コア-シェルナノ粒子層を導入した活性金属/ZnO/Pt構造系抵抗スイッチング(RS)メモリデバイスの安定性の向上について報告した。活性金属としてCuおよびAgを選択した。Pt-Fe₂O₃コア-シェルナノ粒子はPt(acac)₂とFe(CO)₃を用いた熱分解法によって調製した。RSメモリデバイスの作製は,Pt/Ti/SiO₂/Si基板上へのRFスパッタリング法によるZuOスイッチング層の堆積後,さらに,浸漬法によるPt-Fe₂O₃コア-シェルナノ粒子の堆積によって行った。ナノ粒子層を有するデバイスは,より低い値の形成電圧および設定電圧でより安定な抵抗スイッチング特性を示した。

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *白金 ,  *酸化鉄 ,  *コアシェル構造 ,  *ナノ粒子 ,  *酸化亜鉛 ,  金属 ,  層 ,  白金錯体 ,  鉄錯体 ,  カルボニル錯体 ,  熱分解 ,  RFスパッタリング ,  *スイッチング ,  自己組織化 ,  脂肪族ケトン ,  ジケトン
準シソーラス用語： 活性金属 ,  中間層 ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

物質索引 (1件)： アセチルアセトン

タイトルに関連する用語 (9件)： 活性金属 ,  Pt ,  Fe2O3 ,  コア-シェル ,  ZnO ,  抵抗スイッチングメモリ ,  フィラメント ,  コアシェル ,  ナノ粒子