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J-GLOBAL ID：201702262190070900   整理番号：17A0325683

平面ペロブスカイト太陽電池の界面工学:エネルギー準位整列,ペロブスカイト形態制御と高性能の達成【Powered by NICT】

Interface engineering in planar perovskite solar cells: energy level alignment, perovskite morphology control and high performance achievement

著者 (9件)： Yang Guang (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education of China, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Wang Changlei ,  Lei Hongwei ,  Zheng Xiaolu ,  Qin Pingli ,  Xiong Liangbin ,  Zhao Xingzhong ,  Yan Yanfa ,  Fang Guojia
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 4  ページ： 1658-1666  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnO_2電子選択層(ESL)を用いた高効率平面ペロブスカイト太陽電池(PSCs)を達成するための簡単で効果的な界面工学的方法を報告した。3-アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)自己集合単分子層(SAM)を用いて,SnO_2ESL/ペロブスカイト層界面を改質した。APTES SAMは多くの機能を示す(1)表面エネルギーを増加させ,SnO_2ESLの親和性,良好な形態と結晶性を向上させた高品質のペロブスカイト膜の形成を誘導することを高めることができる。(2)末端官能基はSnO_2表面上の双極子を形成し,SnO_2の減少した仕事関数とSnO_2/ペロブスカイトヘテロ接合の拡大ビルトインポテンシャルをもたらした。(3)末端基は,水素結合を介してペロブスカイト表面のトラップ状態を不動態化することができる。(4)界面に薄い絶縁層を電子逆移動を妨げ,効果的に界面での再結合プロセスを低減することができる。これらの望ましい特性によって,APTES SAM修飾SnO_2ESLを用いた最良の電池は18%以上のPCE及び17.54%の定常状態効率を達成した。印象的なことに,著者らの知る限りで,1.16Vの得られたV_OCはCH_3NH_3PbI_3(MAPbI_3)系に対して報告されている最高値である。著者らの結果は,APTES SAMでESL/ペロブスカイト界面エンジニアリングは効率的かつヒステリシスのないPSCを作製するための有望な方法であることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  ヘテロ接合 ,  表面エネルギー ,  *太陽電池 ,  *形状制御 ,  ヒステリシス ,  末端基 ,  親和性 ,  *界面 ,  再結合 ,  双極子 ,  水素結合 ,  結晶度 ,  仕事関数
準シソーラス用語： 官能基 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  界面 ,  工学 ,  エネルギー準位 ,  整列 ,  ペロブスカイト ,  形態制御 ,  高性能