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J-GLOBAL ID：201702262206173189   整理番号：17A0705542

In_2O_3層とその応用薄膜トランジスタのためのゾル-ゲル前駆体の迅速なレーザ誘起光化学変換【Powered by NICT】

Rapid laser-induced photochemical conversion of sol-gel precursors to In₂O₃ layers and their application in thin-film transistors

著者 (6件)： Dellis Spilios (Department of Physics, School of Science and Technology, Nottingham Trent University, Nottingham, NG11 8NS, UK. [e-mail]) ,  Isakov Ivan ,  Kalfagiannis Nikolaos ,  Tetzner Kornelius ,  Anthopoulos Thomas D. ,  Koutsogeorgis Demosthenes C.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 15  ページ： 3673-3677  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル金属酸化物前駆体の一段階レーザ誘起光化学変換過程を通じた酸化インジウム(In_2O_3)トランジスタの開発を報告した。レーザアニーリング条件の慎重な最適化を通して,13cm~2V~ 1s~ 1までIn_2O_3前駆体の変換成功し,電子移動度を持つnチャネルトランジスタにおけるその後の実装を示した。重要なことに,プロセスは,プラスチックのような温度に敏感な材料と両立できるものに熱アニーリングを必要としない。一方,ゾル-ゲル層の空間変換/緻密化は,半導体パターン形成に関連する付加的なプロセスステップを排除し,従って作製複雑さとコストを有意に減少させた。著者らの研究は,ゾル-ゲル法金属酸化物前駆体のレーザ誘起光化学変換は迅速で大面積エレクトロニクスの製造に適していることを明らかに実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光化学 ,  *インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  ゾル-ゲル法 ,  緻密化 ,  *トランジスタ ,  *前駆体 ,  電子技術 ,  レーザアニーリング ,  酸化インジウム ,  パターン形成
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  電子移動度 ,  *レーザ誘起 ,  *ゾル-ゲル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応用 ,  薄膜トランジスタ ,  ゾル-ゲル ,  前駆体 ,  レーザ誘起 ,  光化学