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J-GLOBAL ID：201702262955601290   整理番号：17A0055491

半絶縁性GaAs上の金属接触の研究:物理,技術と応用【Powered by NICT】

Investigation of metal contacts on semi-insulating GaAs: Physics, technology and applications

著者 (8件)： Dubecky F. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Vanko G. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Kindl D. (Institute of Physics v.v.i., AS CR, Cukrovarnicka ́ 10, CZ-162 00 Praha 6, Czech Republic) ,  Hubik P. (Institute of Physics v.v.i., AS CR, Cukrovarnicka ́ 10, CZ-162 00 Praha 6, Czech Republic) ,  Gombia E. (IMEM-CNR Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, 43010 Fontanini, Parma, Italy) ,  Bohacek P. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Sekacova M. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Zat’ko B. (Institute of Electrical Engineering, SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 219-222  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触金属の仕事関数の影響を実証するために,研究は,対称metal/SI GaAs/金属(M S M)ダイオードの研究について報告した。高仕事関数Pt接触対低仕事関数Mg接触を比較した。Pt S Pt,Mg S MgおよびMg S Pt構造を電流-電圧測定により評価した。Mg S Pt構造は低バイアスでの顕著な電流減少を示すMg S Mg構造はPt S Pt基準に関して一桁以上低い高電圧で飽和電流を示した。Mg含有試料で観測された現象は,M S界面での絶縁性MgO層の存在によって説明される。報告された知見はSI GaAsに基づくセンサへの応用の可能性を持っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： センサ ,  ダイオード ,  電流 ,  界面 ,  仕事関数 ,  電圧測定 ,  酸化マグネシウム ,  対称性 ,  バイアス ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  *半絶縁性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半絶縁性 ,  GaAs ,  研究 ,  物理 ,  応用