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J-GLOBAL ID：201702263048835914   整理番号：17A0195194

多層GANウエハの表面熱応力分布と影響因子を検討した。【JST・京大機械翻訳】

Surface thermal stress distribution and the influence factors of Sapphire/AlN/GaN epilayers

著者 (5件)： Chen Jing (Institute of Optoelectronic Engineering, Xi′an Technological University, Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory) ,  Cheng Hongchang (Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory) ,  Wu Lingling (Institute of Optoelectronic Engineering, Xi′an Technological University, Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory) ,  Feng Liu (Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory) ,  Miao Zhuang (Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 45  号： 10  ページ： 1021001-1-1021001-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,サファイア/ALNの外部熱応力分布と影響因子を研究するために,直径40MMの層を研究対象として,有限要素解析法を用いて,表面熱応力分布を理論的に計算し,シミュレーションし,シミュレーションモデルの合理性を検証した。表面熱応力に及ぼす層成長温度,サファイア基板およびALN遷移層の厚さの影響を解析した。結果は以下を示した。1200°Cの成長温度では,軸方向応力は軸方向応力よりも大きかった。半径方向(D<Φ32MM)での熱応力分布は均一であり,熱応力の変化範囲は±0.38%であった。成長温度が600~1200°Cの範囲内では,エピタキシャル層の表面応力は成長温度とほぼ比例した。研究結果は,この種のロールの研究と低応力層のスクリーニング基準を提供するための参考を提供することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： サファイア ,  表面応力 ,  *熱応力 ,  多層 ,  軸方向応力 ,  スクリーニング ,  *応力分布 ,  半径方向 ,  シミュレーションモデル
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  遷移層 ,  サファイア基板 ,  成長温度 ,  有限要素解析 ,  *影響因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： thermal stress ,  GaN epilayer ,  finite element analysis ,  simulation

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  GaN ,  ウエハ ,  応力分布 ,  影響因子