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J-GLOBAL ID：201702263210283873   整理番号：17A0471611

炭化けい素ナノ粒子の分散によるナノ結晶銅における結晶粒成長の抑制に及ぼす微細構造と速度論的研究【Powered by NICT】

Microstructural and kinetic investigation on the suppression of grain growth in nanocrystalline copper by the dispersion of silicon carbide nanoparticles

著者 (3件)： Akbarpour M.R. (Department of Materials Engineering, Faculty of Engineering, University of Maragheh, Maragheh, P.O. Box 83111-55181, Iran) ,  Farvizi M. (Ceramic Division, Materials and Energy Research Center, Karaj, P.O. Box 31787-316, Iran) ,  Kim H.S. (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, South Korea)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 119  ページ： 311-318  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiCナノ粒子で強化し,機械的粉砕プロセスを用いて得られたナノ結晶Cuの熱安定性と結晶粒成長速度は,等温焼鈍処理中に調べた。ナノ結晶銅マトリックス中のナノ粒子の存在は焼なまし中の非強化Cuと比較して,結晶粒方位の広がりによって推定された結晶粒成長の顕著な減少,より高い温度で部分的に集合組織化した微細構造と双晶境界の形成,再結晶粒の体積分率の増加をもたらした。高温で再結晶粒の低体積分率は動的回復に起因していた。正常粒成長は400 600°Cのアニーリング範囲で観察され,より高い温度で観察された有意な異常結晶粒成長。400 600°Cの温度範囲における結晶粒成長速度論の解析は,時間指数n≒3.6と活性化エネルギー≒34kJmol~ 1の,放物型方程式に基づいて明らかにした。SiC分散強化Cu中の結晶粒成長の計算した活性化エネルギーはナノ結晶Cuのそれよりも小さいことが分かった。低い活性化エネルギーと高い熱安定性は,高い格子歪とZener機構によるナノ粒子の遅延効果に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *ナノ結晶 ,  格子歪 ,  体積率 ,  *速度論 ,  *結晶粒 ,  *銅 ,  *炭化ケイ素 ,  活性化エネルギー ,  集合組織 ,  *結晶成長 ,  動的回復 ,  熱安定性 ,  *ナノ粒子
準シソーラス用語： メカニカルミリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結晶粒成長 ,  ナノ複合材料 ,  銅 ,  炭化けい素 ,  電子後方散乱回折(EBSD)

分類 (2件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭化 ,  けい素ナノ粒子 ,  ナノ結晶 ,  銅 ,  結晶粒成長 ,  微細構造 ,  速度論 ,  研究