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J-GLOBAL ID：201702263294341689   整理番号：17A0401067

La_0 9Ca_0 1MnO_3/0.7Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3O3PbTiO_3のヘテロ構造における磁気抵抗に及ぼす残留ひずみの影響【Powered by NICT】

Effects of residual strain on magnetoresistance in heterostructures of La_0.9Ca_0.1MnO₃/0.7Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.3PbTiO₃

著者 (6件)： Qi Yaping (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Wang Lin (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shangda Road, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Jiang Yucheng (Center for Solid State Physics and Materials, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou, 215009, Jiangsu, China) ,  Wu Zhenping (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Wang Linjun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shangda Road, Shanghai, People’s Republic of China) ,  Gao Ju (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 135  ページ： 13-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_0 9Ca_0 1MnO_3のエピタキシャル薄膜を,パルスレーザ蒸着により(100)配向0.7Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3 3PbTiO_3(PMN PT)単結晶基板上に成長させた。亜マンガン酸塩と強誘電体から成るヘテロ構造はPMN-PTの圧電効果を介して誘導される調整可能な歪による亜マンガン酸塩の電気/磁気特性を制御し,研究することを可能にするであろう。X線回折は,強誘電ポーリング処理により,La_0 9Ca_0 1MnO_3膜中に導入された面内引張歪,抵抗とCurie温度Tを調整する上昇を大幅に修正することを明らかにした。PMN-PTのポーリングによるLa_0 9Ca_0 1MnO_3の磁気抵抗は,常磁性状態で減少するが,強磁性状態で増加することが分かった。磁気抵抗に及ぼす残留ひずみの観測された効果は,多相の共存に及ぼすJahn-Teller歪と分極効果により説明することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポーリング ,  強誘電体 ,  *磁気抵抗 ,  X線回折 ,  パルスレーザ蒸着 ,  常磁性 ,  *残留歪 ,  単結晶 ,  強磁性 ,  Curie温度
準シソーラス用語： 引張歪 ,  圧電効果 ,  PMN-PT ,  亜マンガン酸塩 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： LCMO/PMN PTヘテロ構造 ,  圧縮歪 ,  強誘電体ポーリング ,  磁気抵抗 ,  残留歪効果

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ構造 ,  磁気抵抗 ,  残留ひずみ