Yu Jiejin について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Deng Hongmei について
Laboratory for Microstructures, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, China について
Tao Jiahua について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Chen Leilei について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Cao Huiyi について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Sun Lin について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Yang Pingxiong について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Chu Junhao について
Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China について
Materials Letters について
薄膜 について
硫化 について
電着 について
マンガン について
前駆体 について
モルフォロジー について
ドーピング について
バンドギャップ について
化学組成 について
酸化スズ について
X線回折 について
銅 について
透過スペクトル について
錫鉱 について
FTO【酸化物】 について
Semiconductors について
Cu_2MnSnS_4 について
薄膜 について
FTO について
電着 について
電気めっき について
炭素とその化合物 について
グリーン について
電着 について
ふっ素 について
ドープ について
すず酸化物 について
堆積 について
薄膜 について