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J-GLOBAL ID：201702263379975496   整理番号：17A0444866

グリーンで低コストな電着法によるシードふっ素をドープしたすず酸化物基板上に堆積したCu_2MnSnS_4薄膜の合成【Powered by NICT】

Synthesis of Cu₂MnSnS₄ thin film deposited on seeded fluorine doped tin oxide substrate via a green and low-cost electrodeposition method

著者 (8件)： Yu Jiejin (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Deng Hongmei (Laboratory for Microstructures, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, China) ,  Tao Jiahua (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Chen Leilei (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Cao Huiyi (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Sun Lin (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Yang Pingxiong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Chu Junhao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 191  ページ： 186-188  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2MnSnS_4(CMTS)薄膜を電着したCu Sn/Mn金属前駆体の硫化により播種したフッ素ドープ酸化スズ(FTO)基板上に堆積した最初である。X線回折パターンとRaman測定は,純粋な相を持つ黄錫鉱構造CMTS膜の形成を明らかにした。形態学的および化学的組成研究は,CuおよびMnに富む組成を持つコンパクトで均一なCMTS薄膜の形成を示した。CMTS薄膜のバンドギャップは透過スペクトルにより約1.35eVであると評価した。結果は簡単,容易でグリーンで低コストの電着法を用いて純粋な硫化CMTS薄膜を調製するための新しい研究方向を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  硫化 ,  *電着 ,  *マンガン ,  前駆体 ,  モルフォロジー ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  化学組成 ,  *酸化スズ ,  X線回折 ,  *銅
準シソーラス用語： 透過スペクトル ,  錫鉱 ,  FTO【酸化物】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Semiconductors ,  Cu_2MnSnS_4 ,  薄膜 ,  FTO ,  電着

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： グリーン ,  電着 ,  ふっ素 ,  ドープ ,  すず酸化物 ,  堆積 ,  薄膜