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J-GLOBAL ID：201702263511876341   整理番号：17A0415866

オプトエレクトロニクス素子のためのアンチモン化物系半導体【Powered by NICT】

Antimonide-based semiconductors for optoelectronic devices

著者 (8件)： Ni Pei-Nan (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Tong Jin-Chao (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Tobing Landobasa Y. M. (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Qian Li (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Qiu Shu-Peng (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Xu Zheng-Ji (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Tang Xiao-Hong (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Zhang Dao-Hua (OPTIMUS, School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICOCN  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着によるGaAs中間層を持つGe基板上に成長させた高品質InAsSb膜を報告した。成長させたInAsSb膜の特性を系統的に解析した。はこの方法で成長させたInAsSb膜は非常に滑らかで,鏡のような形態,および高い光学的品質をもつ高品質を有することを見出している。特に,約3550nmで強いPLピークは室温,室温中赤外オプトエレクトロニクス応用のための成長させたInAsSb膜の能力を実証するでさえも観測できた。本研究では,Ge基板上の高品質InAsSb膜を成長させるための簡単で実行可能な戦略を提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  *アンチモン化物 ,  *オプトエレクトロニクス ,  *半導体 ,  MOCVD ,  ヒ化ガリウム ,  高品質 ,  中間層
準シソーラス用語： ゲルマニウム基板 ,  *光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： オプトエレクトロニクス素子 ,  アンチモン化物