文献

J-GLOBAL ID：201702263520065316   整理番号：17A0097026

水素化非晶質シリコン薄膜の調製とプロセスパラメータの最適化【JST・京大機械翻訳】

Preparation and Process Parameters Optimization of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film

著者 (4件)： Zhu Yonghang (Laboratory for Photovoltaic, Department of Micro-Nano Electronics, Shanghai Jiao Tong University) ,  Liu Yijian (Laboratory for Photovoltaic, Department of Micro-Nano Electronics, Shanghai Jiao Tong University) ,  Huang Xia (Laboratory for Photovoltaic, Department of Micro-Nano Electronics, Shanghai Jiao Tong University) ,  Huang Huiliang (Laboratory for Photovoltaic, Department of Micro-Nano Electronics, Shanghai Jiao Tong University)
資料名： Weidianzixue  (Weidianzixue)
巻： 46  号： 5  ページ： 706-710  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2386A  ISSN： 1004-3365  CODEN： WEIDFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： H_2/SIH_4ガス流量比,プロセス出力およびプロセス圧力を変化させることによって,水素化非晶質シリコン薄膜を,間接的プラズマ強化化学蒸着法によって調製した。H_2/SIH_4ガス流量比,プロセスパワー,およびプロセス圧力が非晶質シリコン薄膜の光学的性質に及ぼす影響を研究した。実験結果により、この方法は水素化非晶質シリコン薄膜を調製でき、しかも実験条件を変えることにより、薄膜の微細構造及び成分を変えることができることが分かった。H_2/SIH_4ガス比の増加とともに,SIH化合物の含有量は増加し,多Qing化合物の含有量は減少した。RF出力を適切に増加させることにより,膜表面の均一性が改善され,同時に,水素の含有量が増加した。さらに,膜表面の水素含有量は,プロセス圧力の低下とともに減少した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *最適化 ,  *非晶質 ,  *水素 ,  *薄膜 ,  プラズマCVD ,  微細構造 ,  *プロセスパラメータ ,  光学的性質 ,  *水素化
準シソーラス用語： RF出力 ,  実験条件 ,  ガス流量 ,  *シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： a-Si:H thin film ,  Indirect RF plasma ,  Microstructure ,  H content ,  H_2/SiH_4 gas flow ratio ,  Procedure power ,  Procedure pressure

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素化 ,  非晶質 ,  シリコン薄膜 ,  調製 ,  プロセスパラメータ ,  最適化