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J-GLOBAL ID：201702263562676006   整理番号：17A0412384

熱酸化法により成長させたVO_2膜の金属-絶縁体転移特性に及ぼす過剰酸化表面層の影響【Powered by NICT】

Effect of over-oxidized surface layer on metal insulator transition characteristics of VO₂ films grown by thermal oxidation method

著者 (6件)： Kim Howon (Department of Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Mun Bongjin Simon (Department of Physics and Photon Science, School of Physics and Chemistry, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 500-712, Republic of Korea) ,  Mun Bongjin Simon (Ertl Center for Electrochemistry and Catalysis, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 500-712, Republic of Korea) ,  Park Changwoo (Division of Applied Chemistry and Biotechnology, Hanbat National University, Daejeon 305-719, Republic of Korea) ,  Park Changwoo (Advanced Nano Products, Sejong, 339-942, Republic of Korea) ,  Ju Honglyoul (Department of Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 2  ページ： 197-200  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱酸化法により成長させた二酸化バナジウム(VO_2)膜の金属-絶縁体転移(MIT)の特性に及ぼす酸化表面層の影響を調べた。酸化中,過剰酸化V_6O_13層が形成し,これは接触抵抗を増加し,MIT前後の抵抗比を減少させた。過酸化表面層を持つVO_2膜の接触抵抗率は~2範囲4.2×10~ 2~9.4×10~ 4Ωcmであった。興味深いことに,過剰酸化した表面層は,減少した酸素圧下で膜を冷却するだけで除去された。過酸化層を除去すると,MITを横切る抵抗比は1.2×10~4まで増加した。試料抵抗への接触抵抗の比は,低(高)温度で小さかった(大きい)。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金属-絶縁体転移 ,  接触抵抗 ,  *絶縁材料 ,  *酸化 ,  過酸化 ,  *表層 ,  *熱酸化 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  比接触抵抗 ,  二酸化バナジウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 二酸化バナジウム ,  金属-絶縁体転移 ,  XRD

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱酸化 ,  成長 ,  金属-絶縁体転移 ,  酸化 ,  表面層