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J-GLOBAL ID：201702263600579351   整理番号：17A0367592

ポリイミドゲート絶縁体とそのOFET性能に及ぼすスメクチック液晶性有機半導体の層状構造に及ぼす熱アニーリングの影響【Powered by NICT】

The effect of thermal annealing on the layered structure of smectic liquid crystalline organic semiconductor on polyimide gate insulator and its OFET performance

著者 (11件)： Kim Sohee (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Kim Sohee (Department of Polymer Science and Engineering, Chungnam National University, Daejeon 34134, Republic of Korea) ,  Kim Aryeon (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Jang Kwang-Suk (Department of Chemical Engineering, Hankyong National University, Anseong 17579, Republic of Korea) ,  Yoo Sungmi (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Ka Jae-Won (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Kim Jinsoo (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Yi Mi Hye (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Won Jong Chan (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Hong Sung-Kwon (Department of Polymer Science and Engineering, Chungnam National University, Daejeon 34134, Republic of Korea) ,  Kim Yun Ho (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 220  ページ： 311-317  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)の電気的性能は,薄膜有機半導体の品質,溶液処理条件と付加的プロセスにより大きく影響されるに依存する。ポリイミドゲート絶縁体表面上の液体結晶性有機半導体の薄膜形態と薄膜のFET性能に及ぼす後熱アニーリングの影響を調べた。OFETのために選択された活物質は2-デシル-7-フェニル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(Ph BTBT C_10),高度に秩序化したスメクチックE(SmE)メソ相と多結晶薄膜は非常に高い移動度を示した。熱アニーリングプロセスによるポリイミドゲート絶縁体典型的でないSiO_2ゲート絶縁体上に薄膜Ph BTBT C_10における良く定義された分子配向と結晶構造を生成することを目的とした。均一二分子層または単分子層構造化された多結晶薄膜をSmE(148°C以上)とSmA(213°C以上)液晶相温度での熱アニーリング後の高分子ゲート絶縁体上にそれぞれ得られた。二重層構造薄膜を用いたOFETは2.27cm~/Vsの移動度をもつ高性能を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *層状組織 ,  二分子層 ,  単分子層 ,  結晶度 ,  *スメクチック相 ,  二重構造 ,  移動度 ,  薄膜 ,  構造形成 ,  *有機半導体 ,  結晶構造 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 多結晶薄膜 ,  *熱アニーリング ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機半導体 ,  液晶 ,  熱アニーリング ,  有機電界効果トランジスタ ,  ポリイミドゲート絶縁体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： ポリイミド ,  ゲート絶縁体 ,  OFET ,  スメクチック液晶 ,  有機半導体 ,  層状構造 ,  熱アニーリング