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J-GLOBAL ID:201702263745336536   整理番号:17A0450195

Xバンドにおける多層C_f/Si_3N_4複合材料の高温誘電挙動のモデル化【Powered by NICT】

Modeling for high-temperature dielectric behavior of multilayer C f /Si3N4 composites in X-band
著者 (13件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 1961-1968  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ゲルキャスティングとpressuureless焼結により作製した多層C_f/Si_3N_4複合材料の高温誘電挙動を集中的にXバンド(8.2 12.4GHz)中800°Cまでの温度範囲で調べた。実験結果はSi_3N_4マトリックスの誘電率は10~ 3°C~ 1より低い温度係数を持つ優れた熱安定性を示した示した。に加えて,多層C_f/Si_3N_4複合材料の誘電率の実数および虚数部両方は空間電荷分極の増強に起因する正の温度係数特性を示した。C_f/Si_3N_4複合材料の温度依存誘電率はCole-Cole面の実(ε ’)軸付近に実際に中心をもつ円弧によく分散することを示した。最後に,多層C_f/Si_3N_4複合材料の緩和時間は室温から800°Cまで加熱し,216.1psから250.2psまで徐々に増加し,誘電率周波数の連続的低下をもたらすXバンドにおける電磁波のための単一サイクルとほぼ2倍である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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セラミック・磁器の性質 
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