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J-GLOBAL ID：201702263864370283   整理番号：17A0174110

IN/GAN基板の高IN成分のINGAN/GAAS材料の分子線エピタキシー(MBE)成長への影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Patterned Substrate on Quality of High Indium Content InGaN Grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE)

著者 (4件)： Li Baoji (School of Materials Science and Engineering,Shanghai Univeristy) ,  Wu Yuanyuan (Key Laboratory of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Shulong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Jijun (School of Materials Science and Engineering,Shanghai Univeristy)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 30  号： 8B  ページ： 31-34,054  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 異なる基板上のMBE技術により成長させたINGANの光学的および構造的特性を研究した。結果は,同じ成長条件の下で,図形化Chen基板上で成長させたINGAN/GAN材料が,基板表面よりも低い表面粗さ,バックグラウンドキャリア濃度,および強い発光強度を持つことを示した。透過型電子顕微鏡(TEM)観察により,通常の基板上に成長したINGANの内部原子層がスタガ現象を示し,図形化Chen基板上に成長したINGAN原子が規則的に規則化されることを示した。これは,図形化Chen成長の初期段階が横方向成長モードであり,この成長モードが,GAN材料中の貫通転位を効果的に抑制し,GANバッファ層中の転位密度を減少させ,エピタキシャル層の転位とV型欠陥の発生を抑制するためであると考えられる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 構造特性 ,  転位密度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  貫通転位 ,  *MBE成長 ,  バッファ層 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  成長モード ,  横方向成長 ,  原子層 ,  発光強度 ,  成長条件 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaN ,  patterned substrate ,  molecular beam epitaxy (MBE) ,  crystal quality

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  InGaN ,  GaAs ,  分子線エピタキシー ,  MBE ,  成長