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J-GLOBAL ID:201702264087157029   整理番号:17A0050065

ビスマス系光触媒半導体:導入,課題および可能な手法

Bismuth-based photocatalytic semiconductors: Introduction, challenges and possible approaches
著者 (2件):
資料名:
巻: 423  ページ: 533-549  発行年: 2016年11月 
JST資料番号: B0605C  ISSN: 1381-1169  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ビスマス系半導体は,最近開発の高度な光触媒材料のユニークで有望な群であった。この群の材料を,水の開裂によるH2の生成,廃水および汚染空気の両方における有機および無機汚染物質の分解,および光のエネルギーを獲得することによる有機合成を含む幾つかの分野で広く利用することができた。ビスマス系半導体の電子構造により,可視光応答のための適切なバンドギャップ,およびBi6sおよびO2pのハイブリッド軌道から成るよく分散した価電子帯を与え,このことによりビスマス系半導体は他の金属酸化物半導体と比較し有望な候補であった。更には,ビスマス系半導体は操作が容易であり,形態を制御して生成でき,この長所のため有望な光触媒として魅力的な材料であった。今回の総説の目的は,(1)現在利用している高度ビスマス化合物の要約,(2)今回の材料が直面している課題およびその解決手段,および(3)今後の研究のための助言であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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光化学一般  ,  その他の触媒 
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