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J-GLOBAL ID：201702264293099112   整理番号：17A0705595

arsenene,antimoneneとアンチモンひ化合金中の点欠陥の構造,移動度と電子的性質【Powered by NICT】

Structures, mobility and electronic properties of point defects in arsenene, antimonene and an antimony arsenide alloy

著者 (8件)： Sun Xiaotian (Functional Nano & Soft Materials Laboratory (FUNSOM) and Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Yunxia ,  Song Zhigang ,  Li Yongdan ,  Wang Weizhou ,  Lin Haiping ,  Wang Lu ,  Li Youyong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 17  ページ： 4159-4166  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥は材料の合成過程で避けられない,特に二次元(2D)ナノ材料。は通常素子特性に有害として見られるが,新しい有益な効果をもたらすことがある。構造的および電子的性質に及ぼす欠陥の影響を明らかにするために,著者らは,2D arsenene(h As),antimonene(h Sb)とひ化アンチモン(h AsSb)の典型的な点欠陥の構造安定性,移動度と電子的性質,Stone-Wales欠陥,単一空格子点(SVs),二重空格子点(鳴き声)と吸着原子を系統的に調べるために第一原理計算を行った。実験観察のための視覚的ガイダンスを提供するために,走査型トンネル顕微鏡(STM)像をシミュレートした。グラフェンとシリセンにおける欠陥と比較して,これらの欠陥は低い形成エネルギーとより容易に形成し,SVは1eV以下の低い拡散障壁を持つエッジに非常に迅速に拡散した。単分子層arsenene,antimoneneとひ化アンチモンは間接バンドギャップ半導体であり,欠陥構造は,バンドギャップを顕著に減少させる。SVと吸着原子欠陥の大部分は,DTC欠損または余分な原子によるダングリングボンドに起因する磁気モーメントを持っている。今回の結果は,点欠陥は,元のarsenene,antimoneneとアンチモンひ化合金の電子的性質,それらの将来の応用において考慮すべきに有意な影響を誘導することを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *移動度 ,  グラフェン ,  *アンチモン ,  計算 ,  単分子層 ,  バンドギャップ ,  *金 ,  ダングリングボンド ,  *点欠陥 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  磁気モーメント ,  拡散障壁
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  シリセン ,  第一原理計算 ,  吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： アンチモン ,  点欠陥 ,  移動度 ,  電子 ,  性質