文献

J-GLOBAL ID：201702264323809840   整理番号：17A0736342

垂直構造GANベースの電流分布計算解析【JST・京大機械翻訳】

Current Distribution Study of Vertical Structure GaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (6件)： Huang Yajun (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Liangchen (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Zhiqiang (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Academy of Sciences) ,  Yi Xiaoyan (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Guohong (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Jinmin (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 34  号： 9  ページ： 861-863,871  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電流分布は高出力LEDSデバイスの性能に影響する重要な要素であり、従来の構造GANデバイスと比較して、垂直構造デバイスは上下電極の分布を採用することによって、LEDSデバイスの内部電流分布の均一性を明らかに改善した。理論的解析と数値計算により,垂直構造GANベースのLEDSの電流分布モデルを構築し,垂直構造GANベースのLEDSの電流分布とI-V特性を研究した。結果により,従来の平面構造と比較して,垂直構造のGANベースのLEDSの電流分布均一性は,明らかに改善され,そして,正電圧は,約7%減少した。最終的に,垂直構造GANベースのLEDSを,チップ結合とレーザ剥離技術によって調製し,そして,実験結果は,理論的計算値と一致した。この結果は,GANベースのLEDSデバイスの最適設計のための重要な指針である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  解析モデル ,  数値計算 ,  レーザ ,  *電流分布 ,  電流電圧特性 ,  平面構造 ,  最適設計 ,  電極
準シソーラス用語： 計算値 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  vertical structure ,  LEDs ,  current distribution ,  laser lift-off

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  GaN ,  電流分布 ,  計算 ,  解析