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J-GLOBAL ID：201702264399542843   整理番号：17A0326037

制御可能な負の熱膨張,PbTiO_3Bi(Co_2/3Nb_1/3)O_3固溶体における強誘電及び半導体特性【Powered by NICT】

Controllable negative thermal expansion, ferroelectric and semiconducting properties in PbTiO₃-Bi(Co_2/3Nb_1/3)O₃ solid solutions

著者 (8件)： Liu Hui (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China. [e-mail]) ,  Chen Jun ,  Jiang Xingxing ,  Pan Zhao ,  Zhang Linxing ,  Rong Yangchun ,  Lin Zheshuai ,  Xing Xianran
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 4  ページ： 931-936  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体機能材料は電子デバイスに広く適用されている。しかし,デバイスの信頼性と寿命は熱膨張係数の望ましくない不整合に悩まされている。制御可能な熱膨張を持つ半導体材料を開発することが重要である。ここでは,調整可能な電子的および光学的性質でなく,制御可能な負の(零~)及び正の熱膨張を有するのみならず強誘電半導体材料の顕著な群(1 x)PbTiO_3xBi(Co_2/3Nb_1/3)O_3(PT 100xBCN)を開発した。BCN化学的置換により,バンドギャップ(E_g)は2.60eVから2.26eVに減少PbTiO_3ベース強誘電体の半導体特性を達成することである。一方,負から緩やかな遷移,零へ,そして正の熱膨張(α_V: 12.3×10~ 6~7.4×10~ 6K~ 1)を達成した。に加えて,PT BCNは強誘電及び圧電特性を示した。比較的高い圧電係数d_33~200pC N~ 1はモルフォトロピック相境界近傍のPT42BCNの組成で達成された。PT BCNは良好な負の温度係数(NTC)サーミスタ特性を示した。PT BCNの光吸収,熱膨張,および電子特性の共存は,これを将来の応用のための有望な材料にしている。本研究では,制御可能な熱膨張をもつ新しい多機能半導体材料の開発と探索へのアプローチを提供するであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： サーミスタ ,  不整合 ,  強誘電半導体 ,  *熱膨張 ,  *固溶体 ,  光吸収 ,  バンドギャップ ,  相境界 ,  半導体材料 ,  *半導体 ,  強誘電体 ,  熱膨張係数
準シソーラス用語： 圧電定数 ,  圧電特性 ,  *負の熱膨張 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (2件)： 負の熱膨張 ,  固溶体