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J-GLOBAL ID：201702264447347865   整理番号：17A0329119

4L ETSによるMUF FCCSPの反りの予測に利用される異なる保存則【Powered by NICT】

Different conservation laws utilized for warpage prediction of MUF FCCSP with 4L ETS

著者 (3件)： Chen Chih-Sung (Engineering Center Material Engineer Division, Siliconware Precision Industries Co. Ltd. (SPIL), No. 153, Sec. 3, Chung-Shan Rd. Tantzu Taichung 427, Taiwan, R.O.C.) ,  Kao Nicholas (Engineering Center Material Engineer Division, Siliconware Precision Industries Co. Ltd. (SPIL), No. 153, Sec. 3, Chung-Shan Rd. Tantzu Taichung 427, Taiwan, R.O.C.) ,  Jiang Don Son (Engineering Center Material Engineer Division, Siliconware Precision Industries Co. Ltd. (SPIL), No. 153, Sec. 3, Chung-Shan Rd. Tantzu Taichung 427, Taiwan, R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 313-319  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板の銅ラインピッチの密度は,過去10年にわたって製造業者のための重要な課題,20μmピッチラインのフォトレジスト鋳型のような,に直面しているが,サブトラクティブ工法はセミアディティブ法を用いて克服することができる。しかし,サブトラクティブ工法はコスト効果的で銅線形成に最も広く使用されている,基質レベルで有意な変化の必要性は,生産収率と能力の両方を改善するために開発した。その結果,埋め込まれた微量基質(ETS)構造は銅微量およびプリプレグ(PP)材料間の接着を増加させ,特にライン/スペース(L/S)のさらなる微細設計に関する次世代要求のためにセミアディティブ法を置き換えることができる。,特に非対称構造のために,製造工程におけるETSパッケージの反りを設計に利用熱誘起応力は,より厳しい電子製品要求のためにますます重要になっている。時間依存特性の効果は,特にエポキシ成形化合物(EMC)のガラス転移温度(T_g)近傍で悪化することができるが,時には,一般に数秒で時間依存プロセスと差がない部品組立の多くのプロセス温度のために無視することができた。近年,歪-,応力-歪,及び応力保存則に基づく温度依存特性を十分な洞察を提供し,リフロープロセス中の約反り挙動を理解するために電子パッケージ設計のための重要で有効な方法となっている。さらに,FEA(有限要素解析)は,数学的にシミュレーション不規則,複雑形状が可能であり,従って正確で迅速な方法は,時間がかかり,労働力荷重による製造工場における技術者のためのthirstedである。本論文では,応力保存則に基づく非増分溶液を開発し,処理モデルは非増分式で連続的に導出した。非増分とインクリメンタル解は歪と歪-応力保存則への原因となる唯一のこれまで方法論とは異なり,であった。前者のFEA(有限要素解析)では,処理モデルに使用し,要素出生死亡は,異なった材料に関連した種々の参照温度(T_ref)を割り当てることにより非増加解として扱うことができ,CTE(CTE_mean)の平均は均一温度(T_uni)にT_refから統合された平均寸法変化によって得ることができた。後者については,各温度範囲におけるパッケージ複合材料に関連した温度依存特性を実行するために,各温度の節点変位を重畳すると利用増分解は大域的および局所的解析。増分解と比較して,が歪保存に基づく非増分解は一般的でないが,専門的コンピュータによる計算時間,特に温度依存性で記述されたデータの高密度あるいは微細増加を節約。応力保存則とは異なり,歪保存則に基づく非増分溶液はE(T_ref)E(T_uni)への弾性率の異なる経路に関係なく標的率E(T_uni)を考慮し,これら二つの材料のE(T_uni)が同じであれば同じ結果が得られるであろう。T_g近傍における反りは歪保存則のためのカットスロート変化を引き起こすであろうが,常に歪-応力保存のための明白な変動を持っていないが,通常応力保存則のための滑らかな偏差を示した。最後に,本研究のより詳細な25°Cから260°Cへの反りに及ぼす検証のための二種類の化合物タイプのMUF FCCSP(成形アンダーフィルフリップチップチップスケールパッケージ)の生成物を提供し,応力保存則は歪保存則にもかかわらずこれらの二製品のための位相シフトシャドウモアレ技術により測定されたデータと良く一致していることを示した結果は,一つは製品良好な相関を示しただけであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基質 ,  位相 ,  フォトレジスト ,  CPU時間 ,  技術者 ,  温度依存性 ,  プリプレグ ,  時間依存性 ,  リフロソルダリング ,  *保存則 ,  ガラス転移点 ,  生産者
準シソーラス用語： 高密度 ,  有限要素解析 ,  非対称構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ETS ,  MUF ,  反り ,  予測 ,  保存則