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J-GLOBAL ID：201702264566443875   整理番号：17A0204750

微細エレクトロニクス:ゲルマニウムとZheXi電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Non-Silicon microelectronics: Germanium and Germanium-Tin field-effect transistors

著者 (5件)： Han Genquan (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Chunfu (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jingcheng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Cheng Buwen (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107303-1-107303-17  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では、シリコン基板上に非硅溝道材料を利用して、補型金属酸化物半導体(COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, CMOS)集積回路のマイクロエレクトロニクス科学と技術を検討した。本論文では,高とと金属酸化物半導体の電界効果トランジスタ(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR, MOSFET)及びトンネル効果トランジスタ(TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR, TFET)の研究進展について重点的に述べた。GEとSI/SIはシリコン(SI)材料より高い正孔と電子移動度を持ち、シリコン基板の集積を実現しやすく、高移動度のCMOSデバイスを実現する理想的な材料である。Xi組分を調整することによって,ZheXi材料は直接バンドギャップ構造を実現することができ,高い帯間隧の確率を得ることができ,理論と実験はZheXiが高性能TFETデバイスを実現することができることを証明した。本論文では、材料の成長、表面の不動態化、,、,工程、ひずみ工程及びデバイスの信頼性などの重要な問題について、ZheXi MOSFETSとTFETSデバイスの具体的な分析を行った。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  不動態化 ,  *トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  集積回路 ,  正孔 ,  マイクロエレクトロニクス ,  金属酸化物 ,  トンネル効果 ,  *電子技術
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ ,  直接バンドギャップ ,  高移動度 ,  電子移動度 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Germanium ,  Germanium-Tin ,  field-effect transistor (FET) ,  mobility ,  band-to-band tunneling

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 微細 ,  エレクトロニクス ,  ゲルマニウム ,  電界効果トランジスタ