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J-GLOBAL ID:201702264625334077   整理番号:17A0325719

水分解太陽電池のためのNi被覆シリコン光アノードにおけるチタンによる固有酸化けい素の置換【Powered by NICT】

Substitution of native silicon oxide by titanium in Ni-coated silicon photoanodes for water splitting solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 1996-2003  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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nSi光アノードの天然SiO_Xを置き換えるために超薄(2 nm)蒸着Ti膜を用いた,薄い(2および5nm)Ni層で被覆し,得られた2nm Ni/2nmのTi被覆nSi光アノード(天然SiO_Xなし)は1個のシミュレートした太陽光照射(酸素発生反応の可能性に 202mV)下で1M KOH中でSCE基準電極に対して 42mVの光電流開始電位に達した。5nmへのNi層の厚さが増加すると,5nm Ni/2nm Ti/nSi光アノードは天然SiO_X/nSi光アノード上に直接的に被覆さ5nmのNiよりも50mV低い開始電位を示し,非常に安定な光電気化学性能,100%の活性(10mA cm~ 2から0.8V(対SCE)を保つ~6.5日間を示した。これらの結果は,n-p~+埋込みホモ接合を有する典型的なNiO_X被覆nSi光アノードのそれに匹敵することができた。nSi光アノードの天然SiO_Xを置き換えるためにTi層を用いた試料の伝導度を増加させ,電荷移動プロセスを助ける。添加では,中間層Ti膜は,近くの層または大気から酸素を吸収し,Ti層は部分的に酸化されたにしている。蒸着Tiからin situで生成したTiO_X層はA LD堆積したTiO_2以上電子欠陥を持ち,改良された正孔伝導プロセスの原因である可能性がある。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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電気化学反応 

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