アルキルチオフェンスペーサの効果と5,10-ビス(dialkylthien-2-イル)dithieno[2,3-d:2′,3′-d′]ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン alt ベンゾチアジアゾール誘導体共重合体のオプトエレクトロニクス特性に及ぼすふっ素【Powered by NICT】

Guo Pengzhi; Sun Jingbiao; Sun Shuo; Li Jianfeng; Tong Junfeng; Zhao Chuang; Zhu Liangjian; Zhang Peng; Yang Chunyan; Xia Yangjun

文献

J-GLOBAL ID：201702264697172812 整理番号：17A0704581

アルキルチオフェンスペーサの効果と5,10-ビス(dialkylthien-2-イル)dithieno[2,3-d:2′,3′-d′]ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン alt ベンゾチアジアゾール誘導体共重合体のオプトエレクトロニクス特性に及ぼすふっ素【Powered by NICT】

Effect of alkylthiophene spacers and fluorine on the optoelectronic properties of 5,10-bis(dialkylthien-2-yl)dithieno[2,3-d:2′,3′-d′]benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-alt-benzothiadiazole derivative copolymers

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資料名：
巻： 7 号： 37 ページ： 22845-22854 発行年： 2017年
JST資料番号： U7055A ISSN： 2046-2069 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

alkylthiopeneスペーサをもつ5,10-ビス(dialkylthien-2-イル)dithieno[2,3-d:2′,3′-d′]ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン(DTBDT)と2,1,3 ベンゾチアジアゾール(BT)または5,6-ジフルオロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール(FBT)から成る交互共役共重合体を合成し,エネルギー準位,鎖間π-π相互作用,誘電定数,光起電力特性など,アルキルチオフェンスペーサの挿入と共重合体の特性に及ぼすふっ素原子の効果を系統的に調べた。が分かった(i)アルキルチオフェンスペーサの導入は共重合体の鎖内相互作用を増加させただけでなく,最高被占分子軌道(HOMO)準位と最低非占有分子軌道(LUMO)レベルの増加をもたらし,(ii)フッ素原子の包含は,平面性と正孔移動度の増加とともにHOMO及びLUMO両エネルギーレベルの低下をもたらした。しかし,フッ素原子の包含はHOMOレベルの減少と比較してLUMOレベルにほとんど影響を及ぼさなかった,ほぼ共重合体の誘電率に影響を及ぼさなかった。高分子光起電力電池の材料の使用は,高性能光起電力電池(PVCs)をもたらした電力変換効率6.04 7.12%であった。結果は5,10-ビス(alkylthien-2-イル)dithieno-[2,3-d:2′,3′-d′]ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン alt ベンゾチアジアゾール誘導体共重合体のオプトエレクトロニクスおよび凝集特性は主鎖にアルキルチオフェンスペーサおよび/またはふっ素原子の導入により効果的に調節できることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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高分子固体の物理的性質

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